[发明专利]CIGS基薄膜太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种CIGS基薄膜太阳能电池，依次包括衬底、金属背电极层、p型光吸收层、缓冲层和n型透明导电膜层，其特征在于，所述金属背电极层与p型光吸收层之间还包括一层绝缘薄膜层，所述绝缘薄膜层上分布多个不规则孔洞。

2.根据权利要求1所述的CIGS基薄膜太阳能电池，其特征在于，所述的绝缘薄膜层为氧化硅薄膜层、氮化硅薄膜层或者氮氧化硅薄膜层。

3.根据权利要求1所述的CIGS基薄膜太阳能电池，其特征在于，所述的金属背电极层由Mo、Ti或它们的组合构成，所述p型光吸收层为黄铜矿结构并由化合物半导体构成。

4.根据权利要求1所述的CIGS基薄膜太阳能电池，其特征在于，所述的绝缘薄膜层的厚度不大于500nm。

5.一种CIGS基薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1，在衬底上形成金属背电极层；

步骤2，在金属背电极层上沉积一层含有硅和铝的氧化物薄膜层、或沉积一层含有硅和铝的氮化物薄膜层、或沉积一层硅和铝的氮氧化物薄膜层，采用无机酸溶液或碱的水溶液对所述薄膜层进行浸渍；

步骤3，对所述薄膜层进行清洗、干燥，由此形成一层分布多个不规则孔洞的绝缘薄膜层；

步骤4，在绝缘薄膜层上形成具有黄铜矿结构的p型光吸收层；

步骤5，在p型光吸收层上形成缓冲层；

步骤6，在缓冲层上形成n型透明导电层。

6.根据权利要求5所述的CIGS基薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述绝缘薄膜层为氧化硅薄膜层、氮化硅薄膜层或者氮氧化硅薄膜层。

7.根据权利要求5所述的CIGS基薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述无机酸为盐酸，所述碱的水溶液为氢氧化钠的水溶液。

8.根据权利要求5所述的CIGS基薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述的硅和铝的氧化物薄膜层、硅和铝的氮化物薄膜层、硅和铝的氮氧化物薄膜层采用磁控溅射沉积或真空蒸发沉积。

9.根据权利要求5所述的CIGS基薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述步骤2，在金属背电极层上沉积一层含有氧化硅和三氧化钼的混合薄膜层，采用氨水或碱的水溶液对所述混合薄膜层进行浸渍；所述步骤3，对所述薄膜层进行清洗、干燥，由此形成一层分布多个不规则孔洞的绝缘薄膜层，所述绝缘薄膜层为氧化硅薄膜层。

10.根据权利要求9所述的CIGS基薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述步骤2中，氧化硅和三氧化钼的混合薄膜层采用磁控溅射沉积或蒸发沉积。