[发明专利]模拟开关电路结构

权利要求书

1.一种模拟开关电路结构，包括反相器电路模块和通道对管电路模块，所述的反相器电路模块的输入端与控制信号输入端(CRT)相连接，所述的通道对管电路接于信号输入端(IN)和信号输出端(OUT)之间，其特征在于，所述的电路结构还包括断点保护电路模块，所述的通道对管电路中包括第三PMOS场效应管(P3)，所述的反相器电路模块的输出端与该第三PMOS场效应管(P3)的栅极相连接，且该第三PMOS场效应管(P3)的衬底通过所述的断点保护电路模块与电源(VDD)或者信号输入端(IN)相连接。

2.根据权利要求1所述的模拟开关电路结构，其特征在于，所述的反相器电路模块包括第一反相器和第二反相器，所述的第一反相器的输入端与控制信号输入端(CRT)相连接，且该第一反相器的输出端(CN)与第二反相器的输入端相连接，所述的第二反相器的输出端(CP)与所述的第三PMOS场效应管(P3)的栅极相连接。

3.根据权利要求2所述的模拟开关电路结构，其特征在于，所述的第一反相器包括第五PMOS场效应管(P5)和第五NMOS场效应管(N5)，所述的第五PMOS场效应管(P5)的栅极和第五NMOS场效应管(N5)的栅极均与所述的控制信号输入端(CRT)相连接，该第五PMOS场效应管(P5)的源极和衬底均与电源(VDD)相连接，该第五PMOS场效应管(P5)的漏极分别与该第一反相器的输出端(CN)和所述的第五NMOS场效应管(N5)的漏极相连接，且该第五NMOS场效应管(N5)的衬底和源极均接地。

4.根据权利要求2所述的模拟开关电路结构，其特征在于，所述的第二反相器包括第四PMOS场效应管(P4)和第四NMOS场效应管(N4)，所述的第四PMOS场效应管(P4)的栅极和第四NMOS场效应管(N4)的栅极均与所述的第一反相器的输出端(CN)相连接，该第四PMOS场效应管(P4)的源极和衬底均与所述的第三PMOS场效应管(P3)的衬底相连接，该第四PMOS场效应管(P4)的漏极分别与该第二反相器的输出端(CP)和所述的第四NMOS场效应管(N4)的漏极相连接，且该第四NMOS场效应管(N4)的衬底和源极均接地。

5.根据权利要求4所述的模拟开关电路结构，其特征在于，所述的断点保护电路模块包括第六PMOS场效应管(P6)和第七PMOS场效应管(P7)，所述的第六PMOS场效应管(P6)的源极与所述的信号输入端(IN)相连接，该第六PMOS场效应管(P6)的漏极和衬底均与所述的第三PMOS场效应管(P3)的衬底相连接，且该第六PMOS场效应管(P6)的栅极与电源(VDD)相连接；所述的第七PMOS场效应管(P7)的源极与电源(VDD)相连接，该第七PMOS场效应管(P7)的漏极和衬底均与所述的第三PMOS场效应管(P3)的衬底相连接，且该第七PMOS场效应管(P7)的栅极与所述的第二反相器的输出端(CP)相连接。