[发明专利]一种声波谐振器的制造方法有效
申请号: | 201510282093.6 | 申请日: | 2015-05-28 |
公开(公告)号: | CN104917476B | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
发明(设计)人: | 杨清华;欧毅;刘杰;赖亚明;吴光胜;陈庆;朱丽娜 | 申请(专利权)人: | 苏州汉天下电子有限公司 |
主分类号: | H03H3/02 | 分类号: | H03H3/02;H03H9/17 |
代理公司: | 北京元合联合知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11653 | 代理人: | 李非非 |
地址: | 215002 江苏省苏州市苏州工业园区金*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 声波 谐振器 制造 方法 | ||
1.一种声波谐振器的制造方法,该制造方法包括:
提供基底,所述基底的材料是非多孔性材料、或所述基底的材料是多孔性材料但该多孔性材料的孔隙率不等于待形成的声反射层的孔隙率;
利用干法刻蚀的方式对所述基底表面的部分区域或全部区域进行处理,使所述基底表面的部分区域或全部区域在所述干法刻蚀的作用下形成孔隙率和厚度符合待形成的声反射层要求的多孔性材料,从而使所述基底自身表面的部分区域或者全部区域构成声反射层;所述孔隙率和厚度符合待形成的声反射层要求是指干法刻蚀作用后的孔隙率和厚度等于实际设计时所设定的声反射层的孔隙率和厚度;其中,所述声反射层的孔隙率的范围是10%至90%;
在所述声反射层上形成下电极层;
在所述下电极层上形成压电层;
在所述压电层上形成上电极层。
2.根据权利要求1所述的制造方法,其中:
所述多孔性材料是多孔硅或多孔氧化硅。
3.根据权利要求1所述的制造方法,其中:
所述声反射层的厚度范围是10nm至1000μm。
4.根据权利要求1所述的制造方法,其中:
所述基底的材料包括硅、氧化硅、石英、多孔硅、多孔氧化硅中的一种或其任意组合。
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