[发明专利]一种石墨相氮化碳/硫化钼复合材料的制备方法有效

专利信息
申请号: 201510278920.4 申请日: 2015-05-27
公开(公告)号: CN104891997A 公开(公告)日: 2015-09-09
发明(设计)人: 王宗花;王晓涵;杨敏;何遥 申请(专利权)人: 青岛大学
主分类号: C04B35/56 分类号: C04B35/56;C04B35/547;C04B35/622
代理公司: 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 代理人: 杨琪;张勇
地址: 266071 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 石墨 氮化 硫化 复合材料 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种石墨相氮化碳/硫化钼复合材料的制备方法,属于无机纳米非金属材料的制备技术领域。

背景技术

石墨相氮化碳/硫化钼(g-C3N4/MoS2)复合材料,由于具有较高的热和化学稳定性,新颖的光学和光电学特性,在催化、能量储存、电化学电池、荧光化学传感器等领域具有广阔的应用前景。

目前g-C3N4/MoS2复合材料制备方法主要包括原位合成法、物理混合等。Lei Ge等通过分别单独制备出g-C3N4和MoS2,然后进行混合焙烧制得MoS2-g-C3N4样品(Lei Ge,Changcun Han,Xinlai Xiao and Lele Guo,Int.J.Hydrogen.Energ.2013,38,6960-6969)。Qian Li等将g-C3N4和MoS2在乙醇中混合后,通过超声化学法制得MoS2/C3N4异质结构材料(Qian Li,Ning Zhang,Yong Yang,Guozhong Wang and Dickon H.L.Ng,Langmuir,2014,30,8965-8972)。Hui Zhao等以(NH4)2MoS4为原料在g-C3N4纳米片上通过光分解沉积法制得g-C3N4/MoS2复合材料(Hui Zhao,Yuming Dong,Pingping Jiang,Hongyan Miao,Guang-Li Wang and Jingjing Zhang,J.Mater.Chem.A,2015)。上述g-C3N4/MoS2复合材料的制备,都是以g-C3N4作为本体材料,然后再在其上面复合少量的MoS2。Yidong Hou等将C3N4浸渍在(NH4)2MoS4中,再在H2S气氛中焙烧制得MoS2/C3N4复合材料(Yidong Hou,Anders B.Laursen,Jinshui Zhang,G uigang Zhang,Yongsheng Zhu,Xinchen Wang,Dahl and Ib Chorkendorff,Angew.Chem.Int.Ed.2013,52,3621-3625)。上述制备方法多采用两步法或多步法制备,操作步骤相对复杂,不利于g-C3N4/MoS2复合材料的进一步应用。

发明内容

针对上述现有技术的不足,本发明的目的是提供一种石墨相氮化碳/硫化钼复合材料的制备方法。

为实现上述目的,本发明采用下述技术方案:

一种石墨相氮化碳/硫化钼复合材料的制备方法,步骤如下:

(1)将MoS2和氮源混合均匀,加入研磨剂研磨30-60min,至充分混合均匀得混合物;MoS2、氮源和研磨剂加入量的比为1mmol:(3-7)mmol:(1-3)ml;利用研磨剂与材料的表面能匹配的关系,在研磨过程中研磨剂与材料之间相互作用,克服材料层与层之间的范德华力,最小化材料的表面能,进而使材料之间混合更加均匀。

(2)将步骤(1)的混合物在N2气氛保护下,升温至500-600℃进行焙烧,焙烧时间为3-5h,得到g-C3N4/MoS2复合材料。

步骤(1)中,所述氮源为单氰胺、双氰胺、三聚氰胺或尿素。

步骤(1)中,所述研磨剂为甘油或N-甲基吡咯烷酮(NMP)。

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