[发明专利]制作薄膜晶体管的掩模板及用该掩模板制作的薄膜晶体管

说明书

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体地讲，涉及一种制作薄膜晶体管的掩模板及用该掩模板制作的薄膜晶体管。

背景技术

在平板显示领域，薄膜晶体管是制作显示器件的关键器件。目前市场上对显示装置的响应速度和显示品质都有了更高的要求，为了实现更好的显示品质，需要不断的改善薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)的特性，一般采用改善薄膜特性以及半导体材料的方法，但其制作成本要求较高。为了使TFT拥有更好的器件特性，减小TFT的沟道宽度也成为研究的趋势之一。目前，为形成更精密的沟道尺寸，常使用SSM(Single Slit Mask，单缝隙掩模板)方式来达到量产沟道宽度较小(诸如4μm以下)的TFT沟道。而为了获得更好的TFT特性，采用SSM方式时，在TFT沟道的弯折区域容易出现不良。

如图1所示，在利用现有的SSM制作的TFT沟道中，TFT沟道包括直道区域A和弯折区域B，二者的宽度均为L。为了得到宽度L为3.0～3.5μm的TFT沟道，弯折区域B在曝光时由于曝光机制程限制的问题，使得构图工艺后，弯折区域B中的源漏极极易产生短路等不良问题。

由此可见，尽管利用SSM制作的TFT可以一定程度上提高TFT的特性，但如果在需要获得TFT沟道宽度为4μm以下的情况下，由于曝光机制程限制的问题而导致的TFT沟道不良、甚至短路的情况，会使制作的TFT的良品率出现严重下滑，这样的问题是目前相关研究工作须努力突破的目标及方向。

发明内容

为了解决上述现有技术存在的问题，本发明的目的在于提供一种制作薄膜晶体管的掩模板，所述掩模板包括弯折部以及分别位于所述弯折部两侧的直道部，其特征在于，所述弯折部与所述直道部之间的第一缝隙被设置为半透光，所述直道部内部的第二缝隙被设置为全透光。

进一步地，所述第一缝隙的下方或上方设置有半透膜，所述半透膜覆盖所述第一缝隙。

进一步地，所述第一缝隙的宽度大于所述第二缝隙的宽度。

进一步地，所述直道部包括：两条第一直道子部和第二直道子部，其中，所述两条第一直道子部分别由所述弯折部的上下侧边向外延伸形成，所述第二直道子部设置在所述两条第一直道子部之间。

进一步地，所述第一直道子部与所述第二直道子部之间形成所述第二缝隙。

本发明的另一目的还在于提供一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的沟道利用上述的掩模板制作而成。

进一步地，所述沟道的弯折区域的宽度与所述沟道的直道区域的宽度相等。

本发明的有益效果：相较于现有技术，由于本发明的掩模板的第一缝隙被设置为半透光，且第一缝隙的宽度增大，由此在制作薄膜晶体管时，可以提高弯折部处的第一缝隙的光线穿过率来避免薄膜晶体管的沟道的弯折区域中出现的源漏极短路等不良问题，同时可以更精确地图案化薄膜晶体管的沟道结构。

附图说明

通过结合附图进行的以下描述，本发明的实施例的上述和其它方面、特点和优点将变得更加清楚，附图中：

图1示出了利用现有技术的单缝隙掩模板制作的薄膜晶体管的沟道的结构示意图；

图2示出了根据本发明的实施例的制作薄膜晶体管的掩模板的俯视示意图；

图3示出了根据本发明的实施例的制作薄膜晶体管的掩模板的侧视示意图。

具体实施方式

以下，将参照附图来详细描述本发明的实施例。然而，可以以许多不同的形式来实施本发明，并且本发明不应该被解释为限制于这里阐述的具体实施例。相反，提供这些实施例是为了解释本发明的原理及其实际应用，从而使本领域的其他技术人员能够理解本发明的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改。在附图中，为了清楚器件，夸大了层和区域的厚度，相同的标号在整个说明书和附图中可用来表示相同的元件。

为了消除目前的利用现有的SSM制作的TFT中因容易出现短沟道效应(即TFT沟道短路)而导致产率过低、良品率不足的问题，本发明提供了一种用于制备薄膜晶体管的掩模板。

图2示出了根据本发明的实施例的制作薄膜晶体管的掩模板的俯视示意图。图3示出了根据本发明的实施例的制作薄膜晶体管的掩模板的侧视示意图。

参照图2，根据本发明的实施例的制作薄膜晶体管的掩模板100包括弯折部10以及分别位于弯折部10两侧的直道部20。