[发明专利]制作薄膜晶体管的掩模板及用该掩模板制作的薄膜晶体管在审
| 申请号： | 201510187534.4 | 申请日： | 2015-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN104793461A | 公开（公告）日： | 2015-07-22 |
| 发明（设计）人： | 高冬子 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/54 | 分类号： | G03F1/54;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰;武岑飞 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制作 薄膜晶体管 模板 | ||
【权利要求书】：
1.一种制作薄膜晶体管的掩模板，所述掩模板包括弯折部(10)以及分别位于所述弯折部(10)两侧的直道部(20)，其特征在于，所述弯折部(10)与所述直道部(20)之间的第一缝隙(12)被设置为半透光，所述直道部(20)内部的第二缝隙(22)被设置为全透光。
2.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述第一缝隙(12)的下方或上方设置有半透膜(30)，所述半透膜(30)覆盖所述第一缝隙(12)。
3.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述第一缝隙(12)的宽度大于所述第二缝隙(22)的宽度。
4.根据权利要求1至3任一项所述的掩模板，其特征在于，所述直道部(20)包括：两条第一直道子部(201)和第二直道子部(202)，其中，所述两条第一直道子部(201)分别由所述弯折部(10)的上下侧边向外延伸形成，所述第二直道子部(202)设置在所述两条第一直道子部(201)之间。
5.根据权利要求4所述的掩膜板，其特征在于，所述第一直道子部(201)与所述第二直道子部(202)之间形成所述第二缝隙(22)。
6.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管的沟道由权利要求1至5任一项所述的掩模板制作而成。
7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述沟道的弯折区域的宽度与所述沟道的直道区域的宽度相等。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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