[发明专利]液晶显示面板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示领域，特别涉及一种液晶显示面板及其制造方法。

背景技术

现有的多畴液晶显示面板，如图1所示，包括相对而置的彩膜基板10和阵列基板20，填充于两者之间的负性液晶30，负性液晶分子具有所需的预倾角。彩膜基板包括第一玻璃基板11，形成于之上的网格状黑矩阵，形成于每一个网格内的像素及覆盖像素和黑矩阵的公共电极12。阵列基板20包括第二玻璃基板21，形成于之上的与像素一一相对设置的像素电极22。相对像素电极和公共电极之间形成垂直电场，负性液晶在垂直电场作用下，负性液晶分子会发生扭转；如图1所示，位于像素电极22之间间隔和像素之间间隔之间的负性液晶由于受到垂直电场的影响，在像素电极之间间隔和像素之间间隔之间的负性液晶呈现无序排列，形成较宽的液晶交错区域，导致液晶显示面板的透过率不高。上述缺陷同样存在于单畴的液晶显示模式中。

发明内容

本发明提供了一种液晶显示面板及其制造方法，与现有技术相比，解决了液晶交错区域的宽度较大的技术问题。

为达到上述目的，本发明提供以下技术方案：

一种液晶显示面板，包括相对而置的彩膜基板和阵列基板，填充于两者之间的液晶层；所述液晶层包括在垂直电场作用下可扭转的液晶；

所述彩膜基板包括第一衬底基板，多个像素和公共电极；所述多个像素呈阵列状排列在所述第一衬底基板与阵列基板相对的表面，所述公共电极覆盖所述像素和像素之间的间隔；

所述阵列基板包括与像素一一相对设置的像素电极和设置在所述像素电极之间的间隔处的遮蔽电极，所述遮蔽电极与公共电极电势差的绝对值小于像素电极与公共电极电势差的绝对值。

优选的，所述遮蔽电极与公共电极电势差的绝对值不超过像素电极与公共电极电势差的绝对值的20％。

优选的，所述遮蔽电极与公共电极电连接。

优选的，所述遮蔽电极是金属电极。

优选的，所述液晶层还包括网格结构，所述网格结构的格条形成在第一间隔和第二间隔之间，所述网格结构用于固定其内的液晶分子；其中，所述第一间隔是像素之间的间隔，所述第二间隔是像素电极之间的间隔。

优选的，所述网格结构是固化的高分子光敏材料形成的网格结构。

本发明还提供以下技术方案：

一种液晶显示面板的制造方法，包括如下步骤：

在第一衬底基板的第一板面形成多个呈阵列状排列的像素；

形成覆盖所述像素和像素之间间隔的公共电极，形成彩膜基板；

在第二衬底基板的第一板面形成与所述像素一一对应的像素电极；

在像素电极之间的间隔处形成遮蔽电极，所述遮蔽电极与公共电极电势差的绝对值小于像素电极与公共电极电势差的绝对值，形成阵列基板；

对盒所述彩膜基板和阵列基板使像素和与之一一对应的像素电极相对设置，在所述彩膜基板和阵列基板之间填充液晶层，所述液晶层包括在垂直电场作用下可扭转的液晶。

优选的，所述遮蔽电极与公共电极电势差的绝对值小于像素电极与公共电极电势差的绝对值的具体包括如下步骤：

将所述遮蔽电极与公共电极电连接。

优选的，在像素电极之间的间隔处形成遮蔽电极的步骤中，遮蔽电极是金属溅射形成的。

优选的，所述液晶层还包括高分子光敏材料，所述液晶层是在垂直电场作用下可扭转的液晶和高分子光敏材料的混合体；

所述制造方法还包括如下步骤：

在彩膜基板的外侧设置第一掩膜版使像素之间的间隔与第一掩膜版的曝光孔正对；

在阵列基板的外侧设置第二掩膜版使像素电极之间的间隔与第二掩膜版的曝光孔正对；

采用紫外光对第一掩膜版和第二掩膜版进行曝光，将液晶层中的高分子光敏材料固化，形成网格结构。

本发明提供的液晶显示面板及其制造方法，液晶显示面板相对设置的阵列基板的像素电极和彩膜基板的公共电极之间形成垂直电场，液晶在垂直电场作用下，液晶分子会发生扭转；由于屏蔽电极和公共电极相对设置且两者电势差的绝对值小于像素电极与公共电极电势差的绝对值，这样，屏蔽电极和公共电极之间形成屏蔽电场，减小了像素电极与公共电极形成的垂直电场对位于屏蔽电极和公共电极之间的液晶的影响，屏蔽电极和公共电极之间的液晶分子偏离其所需的预倾角的程度越小，降低屏蔽电极和公共电极之间的液晶的无序排列，进而因无序排列导致的液晶交错区域的宽度变小，液晶显示面板的透过率提高。

附图说明

图1为现有的多畴液晶显示面板的液晶形成交错区域的示意图；