[发明专利]一种阵列基板和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板和显示装置。

背景技术

液晶显示器包括相对设置的阵列基板和彩膜基板，阵列基板上设置有纵横交错的扫描线和数据线，扫描线和数据线围成像素单元，每个像素单元内设置有薄膜晶体管(TFT，Thin Film Transistor)和像素电极。如图1a所示，为现有技术中阵列基板的结构示意图。液晶显示器在显示过程中，扫描线逐行扫描，一条扫描线通过该行的栅极驱动电路(GOA，Gate On Array)控制改行薄膜晶体管，进而控制一行像素电极。当对一条扫描线进行扫描时，该条扫描线控制的薄膜晶体管开启，从而将数据线上相应的数据电压传输至像素电极，对像素电极进行充电，扫描结束后，薄膜晶体管关闭。

随着高分辨率栅极驱动电路产品的发展，像素密度随之越来越大，这就意味着高清晰画面显示的同时产品的功耗也随之上升。为降低产品的功耗，像素TFT阵列会采用Z-反转模式。但针对高分辨率产品来说，像素TFT的尺寸较小，如果数据线和扫描线发生偏移，就会导致相邻两行的像素TFT的电容不同(数据线和扫描线之间的电容)，如图1b所示。相邻两行的电容不同使得相邻两扫描线的信号延迟不同，跳变电压也随之不同，以上差异便会产生相邻两行的灰阶亮度有所差异，这样就会产生画面显示不均，闪烁等显示不良。

发明内容

本发明提供一种阵列基板和显示装置，用以解决由于数据线发生偏移时使得相邻两行TFT电容不同，进而导致相邻两行的灰阶亮度不同而产生的显示不良的问题。

本发明实施例提供一种阵列基板，阵列基板上设置有横纵交错的扫描线和数据线，每行扫描线上均设置有栅极驱动电路，所述每行扫描线上还设置有与所述栅极驱动电路连接的补偿电容，所述补偿电容由交错设置的第一金属层和第二金属层的重叠区域组成，所述第一金属层的重叠区域通过绝缘层与所述第二金属层的重叠区域隔绝，其中：

第N行补偿电容和第N+1行补偿电容的大小变化方向相反，且第N行补偿电容的大小变化方向与第N+1行TFT电容的大小变化方向相同，N为大于等于1的自然数。

作为本发明实施例的一种实施方式，重叠区域为矩形。

其中，矩形的一边与所述数据线平行。

上述阵列基板中，组成第N行和第N+1行补偿电容的第一金属层的非重叠区域和第二金属层的非重叠区域与所述重叠区域的相对位置相反。

上述阵列基板中，所述补偿电容设置于所述栅极驱动电路的输入端或者输出端。

上述阵列基板中，所述第一金属层采用与扫描线相同的金属材料；所述第二金属层采用与数据线相同的金属材料。

如果所述数据线相对所述扫描线向右偏移且所述第N行TFT电容减小，则组成所述第N行补偿电容的第一金属层的非重叠区域位于所述重叠区域的左边，组成第N行补偿电容的第二金属层的非重叠区域位于所述重叠区域的右边，组成所述第N+1行补偿电容的第一金属层的非重叠区域位于所述重叠区域的右边，组成所述第N+1行补偿电容的第二金属层的非重叠区域位于所述重叠区域的左边。

如果所述数据线相对所述扫描线向右偏移且所述第N行TFT电容增大，则组成所述第N行补偿电容的第一金属层的非重叠区域位于所述重叠区域的右边，组成第N行补偿电容的第二金属层的非重叠区域位于所述重叠区域的左边，组成所述第N+1行补偿电容的第一金属层的非重叠区域位于所述重叠区域的左边，组成所述第N+1行补偿电容的第二金属层的非重叠区域位于所述重叠区域的右边。

如果所述数据线相对所述扫描线向左偏移且所述第N行TFT电容减小，则组成所述第N行补偿电容的第一金属层的非重叠区域位于所述重叠区域的右边，组成第N行补偿电容的第二金属层的非重叠区域位于所述重叠区域的左边，组成所述第N+1行补偿电容的第一金属层的非重叠区域位于所述重叠区域的左边，组成所述第N+1行补偿电容的第二金属层的非重叠区域位于所述重叠区域的右边。

如果所述数据线相对所述扫描线向左偏移且所述第N行TFT电容增大，则组成所述第N行补偿电容的第一金属层的非重叠区域位于所述重叠区域的左边，组成第N行补偿电容的第二金属层的非重叠区域位于所述重叠区域的右边，组成所述第N+1行补偿电容的第一金属层的非重叠区域位于所述重叠区域的右边，组成所述第N+1行补偿电容的第二金属层的非重叠区域位于所述重叠区域的左边。

本发明实施例提供一种显示装置，包括对盒设置的彩膜基板和上述的阵列基板。