[发明专利]一种阵列基板和显示装置有效
| 申请号： | 201510164507.5 | 申请日： | 2015-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN104730792B | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 陈传宝;马俊才;杨杰 | 申请（专利权）人： | 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 230012 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 显示装置 | ||
1.一种阵列基板，所述阵列基板上设置有横纵交错的扫描线和数据线，每行扫描线上均设置有栅极驱动电路，其特征在于，
所述每行扫描线上还设置有与所述栅极驱动电路连接的补偿电容，所述补偿电容由交错设置的第一金属层和第二金属层的重叠区域组成，所述第一金属层的重叠区域通过绝缘层与所述第二金属层的重叠区域隔绝，其中：
第N行补偿电容和第N+1行补偿电容的大小变化方向相反，且第N行补偿电容的大小变化方向与第N+1行TFT电容的大小变化方向相同，N为大于等于1的自然数。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述重叠区域为矩形。
3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述矩形的一边与所述数据线平行。
4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，组成第N行和第N+1行补偿电容的第一金属层的非重叠区域和第二金属层的非重叠区域与所述重叠区域的相对位置相反。
5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述补偿电容设置于所述栅极驱动电路的输入端或者输出端。
6.如权利要求1～5任一权利要求所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层采用与扫描线相同的金属材料；所述第二金属层采用与数据线相同的金属材料。
7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，如果所述数据线相对所述扫描线向右偏移且第N行TFT电容减小，第N+1行的TFT电容变大，则组成所述第N行补偿电容的第一金属层的非重叠区域位于所述重叠区域的左边，组成第N行补偿电容的第二金属层的非重叠区域位于所述重叠区域的右边，组成所述第N+1行补偿电容的第一金属层的非重叠区域位于所述重叠区域的右边，组成所述第N+1行补偿电容的第二金属层的非重叠区域位于所述重叠区域的左边。
8.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，如果所述数据线相对所述扫描线向右偏移且第N行TFT电容增大，第N+1行的TFT电容变小，则组成所述第N行补偿电容的第一金属层的非重叠区域位于所述重叠区域的右边，组成第N行补偿电容的第二金属层的非重叠区域位于所述重叠区域的左边，组成所述第N+1行补偿电容的第一金属层的非重叠区域位于所述重叠区域的左边，组成所述第N+1行补偿电容的第二金属层的非重叠区域位于所述重叠区域的右边。
9.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，如果所述数据线相对所述扫描线向左偏移且第N行TFT电容减小，第N+1行的TFT电容变大，则组成所述第N行补偿电容的第一金属层的非重叠区域位于所述重叠区域的右边，组成第N行补偿电容的第二金属层的非重叠区域位于所述重叠区域的左边，组成所述第N+1行补偿电容的第一金属层的非重叠区域位于所述重叠区域的左边，组成所述第N+1行补偿电容的第二金属层的非重叠区域位于所述重叠区域的右边。
10.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，如果所述数据线相对所述扫描线向左偏移且第N行TFT电容增大，第N+1行的TFT电容变小，则组成所述第N行补偿电容的第一金属层的非重叠区域位于所述重叠区域的左边，组成第N行补偿电容的第二金属层的非重叠区域位于所述重叠区域的右边，组成所述第N+1行补偿电容的第一金属层的非重叠区域位于所述重叠区域的右边，组成所述第N+1行补偿电容的第二金属层的非重叠区域位于所述重叠区域的左边。
11.一种显示装置，其特征在于，包括对盒设置的彩膜基板和如权利要求1～10任一权利要求所述的阵列基板。
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