[发明专利]具有高电容性能的胺基功能化石墨烯量子点/二氧化钛纳米管阵列复合材料的制备方法

权利要求书

1.一种具有高电容性能的胺基功能化石墨烯量子点/二氧化钛纳米管阵列材料的制备方法，其特征在于该方法的具体步骤为：取分散好的用多环芳烃芘经过处理后得到的前驱物30-40mL，立即放入80mL聚四氟乙烯反应釜中，边搅拌边加入氨水和水合肼的混合液，然后加入制备好的二氧化钛纳米管阵列（1.2cm×1.4cm），在185-220^oC温度下反应5-20h，

冷却到室温后，用去离子水将二氧化钛纳米管洗净，烘干，得到胺基功能化石墨烯量子点/二氧化钛纳米管阵列材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述的多环芳烃芘经过处理后得到的前驱物的制备方法为：

a.称取芘1-2g，搅拌下缓慢加入50-80mL浓硝酸，回流反应15-35h，冷却后取出；

b. 将步骤a所得反应物缓缓加入到冰水溶液中，采用滤膜抽滤，去除酸溶液；用蒸馏水洗涤滤膜上的固体数次，至滤液pH值为6-7；

c. 取步骤b所得固体，将洗涤后的菊黄色固体在160-180mL蒸馏水中超声分散2h-3h，待用。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于所述的多环芳烃芘为：可看作四个苯环连起来的石墨烯分子，分子式为C₁₆H₁₀。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述的二氧化钛纳米管的制备方法为：

a. 以铅板作对电极，预处理的钛片作为工作电极，取2.25-3.25g NH₄F溶于500mL-600mL乙二醇中作为电解液，在40-50V的电压下氧化，超声后用蒸馏水冲洗，将生长出的纳米管阵列脱离钛片基底后再用40-50V的电压进行二次氧化，氧化之后用异丙醇清洗；

b. 将步骤a所得二氧化钛纳米管阵列在真空度为0.1-0.2下，450-500℃退火2-4h ，降温至室温，得到真空退火的二氧化钛纳米管阵列。