[发明专利]具有可控电阻率的耐等离子体腐蚀陶瓷

说明书

本申请是申请日为2007年9月29日，发明名称为“具有可控电阻率的耐等离子体腐蚀陶瓷”的申请的分案申请。

本申请涉及与本申请具有共同发明者的一系列申请。以下列出的所有申请涉及包含氧化钇的陶瓷的使用以提供用于半导体处理装置的耐等离子体表面。相关的申请包括由Sun等人在2007年4月27日提交的题目为“Method of Reducing The Erosion Rate Of Semiconductor Processing Apparatus Exposed To Halogen-Containing Plasmas”的目前未诀的美国申请第11/796,210号；Sun等人在2007年4月27日提交的题目为Method And Apparatus Which Reduce The Erosion Rate Of Surfaces Exposed To Halogen-Containing Plasmas”的目前未诀的美国申请第11/796,211号；Sun等人在2004年7月22日提交的题目为“Clean Dense Yttrium Oxide Coating Protecting Semiconductor Apparatus”的目前未诀的美国申请第10/898,113号；Sun等人在2004年8月13日提交的题目为“Gas Distribution Plate Fabricated From A Solid Yttrium Oxide-Comprising Substrate”目前未诀的美国申请第10/918,232号；以及Sun等人在2002年2月14日提交的题目为“Yttrium Oxide Based Surface Coating For Semiconductor IC Processing Vacuum Chambers”的美国专利申请第10/075,967号，所述美国专利申请在2004年8月14日授予美国专利第6,776,873号。以上列出的申请的分案和接续申请的所提交的其它相关申请包括：Wang等人在2006年11月10提交的题目为“Cleaning Method Used In Removing Contaminants From The Surface Of An Oxide or Fluoride Comprising a Group III Metal”的美国申请第11/595,484号，目前未诀且为美国申请第10/898,113号的分案申请；以及Wang等人在2006年11月3日提交的题目为“Cleaning Method Used In Removing Contaminants From A Solid Yttrium Oxide-Containing Substrate”的美国申请第11/592,905号，目前未诀且为美国申请第10/918,232号的接续申请。在此引入这些专利和申请的所有主题作为参考。

技术领域

本发明的实施方式涉及主要由高度抗存在于半导体处理装置中的等离子体腐蚀的固溶体陶瓷组成的特种含氧化钇陶瓷。

背景技术

该部分描述涉及本发明所公开的实施方式的背景主题。并没有意图表示或暗指在该部分讨论的背景技术组成现有技术。

抗侵蚀(包括腐蚀)性是在存在侵蚀性环境的半导体处理腔室中使用的装置组件和衬垫的关键属性。尽管侵蚀等离子体存在于多数半导体处理环境中，包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)和物理气相沉积(PVD)，但是侵蚀性最强的等离子体环境是用于处理装置清洗和用于蚀刻半导体衬底的等离子体。这里尤其会有高能量等离子体存在并结合有化学反应以与存在于环境中的组件表面反应。当侵蚀性气体，即使在不存在等离子体，与处理装置表面接触时，装置组件表面或工艺腔室衬垫表面的还原化学反应是重要的属性。

存在于用于制造电子器件和微电子机械系统(MEMS)的处理腔室内的工艺腔室衬垫和组成装置通常由铝和铝合金构成。工艺腔室和组成装置(存在于腔室内)的表面通常阳极化以提供对侵蚀性环境的一定程度的隔离。然而，铝或铝合金中的杂质可能破坏阳极化层的完整性，从而侵蚀较早地开始，缩短了保护涂层的有效期限。与其它陶瓷材料相比，铝氧化物的耐等离子体属性并不积极。因此，各种组分的陶瓷涂层已经用于替代以上所提及的铝氧化物层；以及，在一些例子中，已经用在阳极化层的表面上以改善下层铝基材料的保护。