[发明专利]有机发光显示器及其制造方法

说明书

公开了一种有机发光显示器及其制造方法。所述有机发光显示器包括像素电路以将电流供给至有机发光器件。像素电路包括开关晶体管和驱动晶体管。开关晶体管包括位于第一栅电极和氧化物半导体层之间的第一绝缘层。驱动晶体管包括位于有源层上的第二栅电极。第一绝缘层位于有源层和第二栅电极之间。

相关申请的交叉引用

于2014年2月19日提交的、题为“有机发光显示装置及其制造方法”的第10-2014-0019212号韩国专利申请通过整体引用并入本文。

技术领域

本文中的一个或多个实施方式涉及有机发光显示器以及制造该有机发光显示器的方法。

背景技术

有机发光显示器利用有机发光器件(OLED)产生光。每个OLED包括位于空穴注入电极和电子注入电极之间的有机发射层。操作中，来自空穴注入电极的空穴和来自电子注入电极的电子在有机发射层中结合以形成激子。当激子从激发态跃迁至基态时，产生光以形成图像。

由于有机发光显示器是自发光的(例如，不需要背光源)，因此其可以以低压驱动，同时能够较为纤薄和轻便。此外，这种显示器具有宽视角、高对比度和快速响应速度。

发明内容

根据一个实施方式，有机发光显示器包括：基底；位于基底上的有机发光器件；以及将电流供给至有机发光器件的像素电路，其中像素电路包括位于基底上的开关晶体管和驱动晶体管，开关晶体管包括位于第一栅电极和氧化物半导体层之间的第一绝缘层，驱动晶体管包括位于有源层上的第二栅电极，以及位于有源层和第二栅电极之间的第一绝缘层。

氧化物半导体层可包括从由镓、铟、锌、铪和锡组成的组中所选择的一个或多个以及氧。第一栅电极可包括掺杂有杂质的多晶硅层。有源层可包括位于沟道区两侧的源区和漏区，其中源区和漏区掺杂有杂质。

显示器可包括位于氧化物半导体层和第二栅电极上的第二绝缘层，其中开关晶体管可包括穿过第二绝缘层连接至氧化物半导体层的第一源电极和第一漏电极。

驱动晶体管可包括穿过第一绝缘层和第二绝缘层分别连接至源区和漏区的第二源电极和第二漏电极。

像素电路可包括电容器，其中电容器包括位于基底上的第一电极和位于第一电极上的第二电极，其中第一绝缘层位于第一电极和第二电极之间。第一电极可包括掺杂有杂质的多晶硅层，以及第二电极包括氧化物半导体层。电容器可包括位于第二电极上的第三电极，其中第二绝缘层位于第二电极和第三电极之间。有机发光器件可包括位于阳极电极和阴极电极之间的有机发射层。

根据另一实施方式，制造有机发光显示器的方法包括：对位于基底上的多晶硅层进行图案化以形成第一栅电极的中间层和有源层的中间层；在第一栅电极的中间层和有源层的中间层上形成第一绝缘层；在有源层的中间层上方的第一绝缘层上形成第二栅电极；对第一栅电极的中间层和有源层的中间层掺杂杂质以形成第一电极和有源层；在第一绝缘层上形成氧化物半导体层，以使氧化物半导体层位于第一栅电极上；在第二栅电极和氧化物半导体层上形成第二绝缘层；以及形成第一源电极和第一漏电极以穿过第二绝缘层连接至氧化物半导体层。

有源层包括与第二栅电极重叠的沟道区以及位于沟道区两侧的源区和漏区，其中源区和漏区包含杂质。

该方法可包括形成第二源电极和第二漏电极以穿过第一绝缘层和第二绝缘层分别连接至源区和漏区。第一栅电极可以是开关晶体管的栅电极，第二栅电极可以是驱动晶体管的栅电极。氧化物半导体层可包括从由镓、铟、锌、铪和锡组成的组中所选择的一个或多个以及氧。

该方法可包括在基底上施加非晶硅层并使非晶硅层结晶以形成多晶硅层。该杂质可以是P型杂质。

图案化位于基底上的多晶硅层的操作还可包括图案化多晶硅层以形成电容器的第一电极的中间层，并且掺杂杂质的操作还可包括利用杂质对第一电极的中间层进行掺杂以形成电容器的第一电极。