[发明专利]有机发光显示器及其制造方法

权利要求书

1.一种有机发光显示器，包括：

基底；

有机发光器件，位于所述基底上；以及

像素电路，将电流供给至所述有机发光器件，

其中所述像素电路包括位于所述基底上的开关晶体管，驱动晶体管和电容器，所述开关晶体管包括位于第一栅电极和氧化物半导体层之间的第一绝缘层，所述驱动晶体管包括位于有源层上的第二栅电极，以及位于所述有源层和所述第二栅电极之间的所述第一绝缘层，所述电容器包括位于所述基底上的第一电极和位于所述第一电极上的第二电极，其中所述第一绝缘层位于所述第一电极和所述第二电极之间。

2.如权利要求1所述的显示器，其中

所述氧化物半导体层包括镓、铟、锌、铪或锡中的一个或多个以及氧。

3.如权利要求1所述的显示器，其中

所述第一栅电极包括掺杂有杂质的多晶硅层。

4.如权利要求3所述的显示器，其中

所述有源层包括位于沟道区两侧的源区和漏区，所述源区和所述漏区掺杂有杂质。

5.如权利要求4所述的显示器，还包括：

位于所述氧化物半导体层和所述第二栅电极上的第二绝缘层，其中所述开关晶体管包括穿过所述第二绝缘层连接至所述氧化物半导体层的第一源电极和第一漏电极。

6.如权利要求5所述的显示器，其中

所述驱动晶体管包括穿过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层分别连接至所述源区和所述漏区的第二源电极和第二漏电极。

7.如权利要求4所述的显示器，其中：

所述第一电极包括所述掺杂有杂质的多晶硅层，以及所述第二电极包括所述氧化物半导体层。

8.如权利要求1所述的显示器，其中所述电容器包括：

位于所述第二电极上的第三电极，

其中第二绝缘层位于所述第二电极和所述第三电极之间。

9.根据权利要求1所述的显示器，其中

所述有机发光器件包括位于阳极电极和阴极电极之间的有机发射层。

10.一种制造有机发光显示器的方法，所述方法包括：

图案化位于基底上的多晶硅层以形成第一栅电极的中间层、有源层的中间层和电容器的第一电极的中间层；

在所述第一栅电极的中间层和所述有源层的中间层上形成第一绝缘层；

在所述有源层的中间层上方的所述第一绝缘层上形成第二栅电极；

对所述第一栅电极的中间层、所述有源层的中间层和所述第一电极的中间层掺杂杂质以形成第一栅电极、有源层和所述电容器的所述第一电极；

在所述第一绝缘层上形成氧化物半导体层，以使所述氧化物半导体层位于所述第一栅电极上，其中形成所述氧化物半导体层还包括形成所述电容器的第二电极以与所述第一电极重叠；

在所述第二栅电极和所述氧化物半导体层上形成第二绝缘层；以及

形成第一源电极和第一漏电极，以穿过所述第二绝缘层连接至所述氧化物半导体层。

11.如权利要求10所述的方法，其中所述有源层包括：

沟道区，与所述第二栅电极重叠，以及

源区和漏区，位于所述沟道区的两侧，所述源区和所述漏区包含杂质。

12.如权利要求11所述的方法，还包括：

形成第二源电极和第二漏电极，以穿过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层分别连接至所述源区和所述漏区。

13.根据权利要求10所述的方法，其中：

所述第一栅电极为开关晶体管的栅电极，以及

所述第二栅电极为驱动晶体管的栅电极。

14.如权利要求10所述的方法，其中

所述氧化物半导体层包括镓、铟、锌、铪或锡中的一个或多个以及氧。