[发明专利]一种像素单元结构、有机发光显示面板及显示装置在审
申请号: | 201510064727.0 | 申请日: | 2015-02-06 |
公开(公告)号: | CN104600097A | 公开(公告)日: | 2015-05-06 |
发明(设计)人: | 吴长晏;辛龙宝 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;黄灿 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 像素 单元 结构 有机 发光 显示 面板 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体可涉及一种像素单元结构、有机发光显示面板及显示装置。
背景技术
目前,有源矩阵有机发光二极管(AMOLED:Active-matrix organic light emitting diode)显示面板在量产过程中仍然使用精细金属掩膜(FMM:Fine Metal Mask)技术,以画素并置法(RGB side by side),达成全采化。
但是精细金属掩膜技术存在许多问题,如掩模板(mask)的制作、清洗,制程时的对位、膨胀等问题,使得显示面板混色现象严重,造成显示面板生产良率低落,制造成本昂贵。
为了解决精细金属掩膜技术的全彩化问题,现有技术中存在另一种技术解决方案是利用白光有机发光二极管(WOLED)加上彩膜来实现高PPI的有机发光显示面板。此方式虽然可以不需使用精细金属掩膜技术,但由于透过彩膜后,大部分的光都被滤掉了,为了确保显示效果,需要增大显示面板的功耗,导致显示面板的功耗大幅增加。
现有技术中还存在一种技术,即在白光有机发光二极管(WOLED)加上彩膜11的基础上,增加了微腔结构,具体结构可如图1所示。由于微腔结构可以增加特定波长的单色光的出光强度,因此,可有效提高显示面板的出光效率,从而可部分降低显示面板的功耗。
但是,现有利用微腔结构的显示面板,只能实现单色光的显示,由于单色光亮度低、这不但影响了显示面板的显示效果,而且导致显示面板功耗仍然较高。
发明内容
本发明提供一种像素单元结构、有机发光显示面板及显示装置,不但可以实现白色显示,还具有较高的显示精度和较低的功耗。
本发明提供方案如下:
本发明实施例提供了一种像素单元结构,所述像素单元结构包括多个亚像素,所述亚像素包括发射白光的有机发光层,所述像素单元结构利用微腔效应实现多颜色显示,其中,一种所述亚像素用于显示一种颜色;
所述像素单元结构中包括白色亚像素,所述白色亚像素对应的微腔长度,与第一亚像素的微腔长度的比值大于等于三;
所述第一亚像素的微腔长度大于除所述白色亚像素之外其他亚像素对应的微腔长度。
优选的,所述白色亚像素对应的微腔长度为1微米。
优选的,所述像素单元结构还包括:
公共电极,设置于所述有机发光层的第一侧,所述公共电极为半透半反电极;
反射电极,设置于所述有机发光层的第二侧,所述反射电极的数量与所述像素单元所包括的亚像素数量对应;
微腔长度控制电极,设置于对应的反射电极与有机发光层之间,所述微腔长度控制电极具有对应的厚度,以使对应的反射电极与公共电极之间具有对应的距离,所述反射电极与公共电极之间的距离为所述微腔长度。
优选的,所述像素单元结构还包括:
第一透明介电质,设置于所述白色亚像素对应的反射电极和微腔长度控制电极之间。
优选的,所述像素单元结构还包括:
第二透明介电质,设置于除白色亚像素对应的反射电极之外其他反射电极远离所述微腔长度控制电极的一侧。
优选的,所述白色亚像素对应的微腔长度控制电极的厚度大于0.5微米;或者
所述第一透明介电质与所述白色亚像素对应的微腔长度控制电极的厚度之和大于0.5微米。
优选的,所述白色亚像素对应的微腔长度控制电极的厚度为1微米;或者
所述第一透明介电质与所述白色亚像素对应的微腔长度控制电极的厚度之和为1微米。
优选的,与所述白色亚像素对应的反射电极与微腔长度控制电极通过形成于所述第一透明介电质的过孔电连接。
优选的,所述微腔长度控制电极的材质为透明导电氧化物。
优选的,所述公共电极为有机发光层的阴极,所述微腔长度控制电极和/或反射电极为有机发光层的阳极;或者
所述公共电极为有机发光层的阳极,所述微腔长度控制电极和/或反射电极为有机发光层的阴极。
优选的,所述公共电极的厚度15纳米;
所述反射电极的厚度为200纳米。
优选的,所述公共电极的材质为铝、银、镁或者合金;
所述反射电极的材质为铝、银。
优选的,所述像素单元结构包括至少用于显示白、红、绿、蓝四种颜色的亚像素;
所述第一亚像素为红色亚像素。
本发明实施例还提供了一种有机发光显示面板,该有机发光显示面板具体可以包括上述本发明实施例提供的像素单元结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的