[发明专利]一种带热处理生产固体电解质铝电解电容器的工艺在审

专利信息
申请号: 201510033672.7 申请日: 2015-01-23
公开(公告)号: CN104616892A 公开(公告)日: 2015-05-13
发明(设计)人: 屈发练;屈长松;张皓 申请(专利权)人: 重庆市图达电子科技有限公司
主分类号: H01G9/00 分类号: H01G9/00;H01G9/15
代理公司: 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 代理人: 胡佳
地址: 401338 重*** 国省代码: 重庆;85
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摘要:
搜索关键词: 一种 热处理 生产 固体 电解质 铝电解电容器 工艺
【说明书】:

技术领域

发明涉及电解电容器的制备技术领域,具体涉及一种固体电解质铝电解电容器的制造方法。

背景技术

固态电容作业传统液态电容的更新换代产品有其独有的优良特性,目前,在制作工艺中都是采用,将正极导针铆接于阳极箔上,负极导针铆接于阴极箔上;用卷绕机卷绕,阴极箔多卷一些,让阴极箔包住整个芯包,再用高温胶带环绕粘紧固定;将密封用的胶盖安装于芯包上;芯包浸入化成液中进行修复处理,取出后吸干多余的水份;将修复处理后的芯包进行碳化处理;重复芯包浸入和碳化;芯包再次浸入化成液中进行修复处理,化成后放在去离子水中清洗,所述水为电阻率大于2M的水;单体氧化剂含浸;含浸后进行聚合,最后装入铝壳,封口,老化处理制成产品。如此生产出来的产品在使用过程中发现,产生高温后有些杂质会挥发,挥发出来的物质会产生黄酸,黄酸对电容的氧化膜有腐蚀作用,使得产品的使用寿命大大降低。

发明内容

为解决以上技术问题,本发明提供了一种去除杂质,不会产生黄酸腐蚀产品的带热处理生产固体电解质铝电解电容器的工艺。

技术方案如下:

一种带热处理生产固体电解质铝电解电容器的工艺,按如下步骤进行:

1)将正极导针铆接于阳极箔上,负极导针铆接于阴极箔上;

2)用卷绕机卷绕,阴极箔多卷一些,让阴极箔包住整个芯包,再用高温胶带环绕粘紧固定;

3)将密封用的胶盖安装于芯包上;

4)芯包浸入化成液中进行修复处理,取出后吸干多余的水份;

5)将修复处理后的芯包进行碳化处理,碳化温度230-280度,;

6)4和5的步骤重复2-10次;

7)芯包再次浸入化成液中进行修复处理,化成后放在去离子水中清洗,所述水为电阻率大于2M的水;

8)单体氧化剂含浸; 单体为EDOT,3,4乙撑二氧噻吩,氧化剂:对甲基苯磺酸铁正丁醇溶液

9)含浸后进行聚合,聚合的步骤为30-50度2-4小时,50-70度0.5-2小时,75-95度2-4小时,140-160度1.5-3.5小时;温度抬升速度不应超过4度每分钟;

10)芯包聚合完成后,再进行高温热处理,处理温度为260度5-15分钟。(这一点通常公司不写,因比较机密,可写下来确保审查点)

11)装入铝壳,封口,老化处理制成产品.

上述步骤8)单体氧化剂含浸为:

将芯包分别放入15 -30%重量百分比的噻吩的酒精溶液中中含浸,含浸的深度为芯包的1/3到芯包与胶盖的交接处,含浸后在40-60温度下放置,除去酒精;

除去酒精后的芯包放入氧化剂中进行含浸,含浸的步骤为先常压含浸,含浸时间为5秒到5分钟,含浸深度为芯包底部2/3处到胶盖与芯包的交接处;

芯包含浸时间到后脱离液面抽真空,真空度控制在500帕到900帕之间,抽到真空后,在真空情况下,将芯包浸于氧化剂中,在真空下含浸,含浸时间为5秒到5分钟,时间到后破真空至常压,再进行常压下含浸,含浸时间为5秒到5分钟。

有益效果:本发明工艺在芯包聚合完成后,再进行高温热处理,处理温度为260度5-15分钟,将芯包里面的杂质彻底的清除,避免了固体电容在使用的过程中,产生高温后,大量的杂质挥发出来,水解产生黄酸,破坏芯包的氧化膜,使得整个电容被腐蚀,降低了使用寿命。所制得的产品电解纸包住圆棒部与平板部的交接处,这样在芯包化成过程中,由于电解纸吸满了电解液,电纸紧贴圆棒部与平板部,这样破坏了气体的吸附,避免或减弱了气体将化成液与铝体隔开,使圆棒部与平板部之间的交接处化成更好,表面氧化铝膜存覆盖得更好。

具体实施方式

实施例1

一种带热处理生产固体电解质铝电解电容器的工艺,按如下步骤进行:

1)将正极导针铆接于阳极箔上,负极导针铆接于阴极箔上,铆接时箔放置于导针的平板部中部,使两侧的留量相等,两个导针之夹有电解纸,电解纸比电极箔宽,卷绕两个边超出电极箔部分不相等,接近于CP线的一端超出箔的部分多,超出部分要达到导针的圆棒部与平板部的交接处,用电解纸覆盖导针的圆棒部与平板部的交接处;

2)用卷绕机卷绕,阴极箔多卷一些,让阴极箔包住整个芯包,再用高温胶带环绕粘紧固定;

3)将密封用的胶盖安装于芯包上;

4)芯包浸入化成液中进行修复处理,取出后吸干多余的水份;

5)将修复处理后的芯包进行碳化处理,碳化温度230度,;

6)4和5的步骤重复2次;

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