[发明专利]像素结构及具有该像素结构的液晶显示器有效

专利信息
申请号: 201510029233.9 申请日: 2015-01-20
公开(公告)号: CN104765207B 公开(公告)日: 2018-05-25
发明(设计)人: 唐岳军 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1368
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫;熊永强
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 像素结构 凸起结构 突起状电极 液晶显示器 底部电极 水平电场 电场 制作 薄膜晶体管器件 侧向水平 正性液晶 穿透率 基板 减小 竖直 液晶 站立 响应
【说明书】:

发明一方面提供了一种像素结构,其设置于一阵列基板上,且由一个或两个薄膜晶体管器件控制,所述像素结构包括若干凸起结构、若干突起状电极及一底部电极,所述突起状电极制作于所述凸起结构上,所述底部电极位于所述凸起结构下方,制作于所述凸起结构上的突起状电极之间产生水平电场,所述底部电极与制作于所述凸起结构上的突起状电极之间产生侧向水平电场。本发明还提供一种具有上述像素结构的液晶显示器。本发明的像素结构及具有该像素结构的液晶显示器可以减小竖直电场的分量和增大水平电场的目的,从而提升FFS和IPS模式的穿透率或者液晶的响应速度,更减弱了正性液晶的站立趋势。

技术领域

本发明涉及液晶显示领域,尤其是涉及一种像素结构及一种具有该像素结构的液晶显示器。

背景技术

随着液晶显示技术的不断发展,液晶显示装置如液晶显示面板(Light emittingdiode panel)作为显示部件已经广泛应用于移动电话、数码相机、个人数字助理(PersonalDigital Assistant,PDA)等电子产品中。所述液晶显示装置大多具有上下两个光线透过的基板,即一上基板和一下基板,在该下基板上形成的电极阵列包括栅线及与该栅线垂直的数据线,所述栅线与数据线的交叉点位置有一薄膜晶体管(thin film transistor,TFT)装置,其可将栅线的信号传输至像素电极上。下基板的像素区域包括公共电极和像素电极,该公共电极与像素电极位于同一面上。该上基板与下基板之间注有液晶,其在像素电极区域随电场的作用而移动。

现有的液晶显示器大多存在响应速度慢,可视角度小等问题,为了解决扭转向列型的窄视角问题,大多采用IPS(In-Plane Switching,平面转换)模式的液晶显示器及FFS(Fringe Field Switching,边缘场开关)模式的液晶显示器,二者具有广视角等优点。然而,IPS模式和FFS模式的液晶显示装置在产生水平电场的同时,也会产生一个竖直方向的电场分量,而且像素电极与公共电极之间的电位差越大,该竖直方向的电场分量也会随之增大,如此会大大降低IPS模式和FFS模式的穿透率或响应时间,不能满足用户的使用要求。

发明内容

本发明提供一种像素结构及具有该像素结构的液晶显示器,其可减小竖直方向的电场分量同时增大水平方向的电场,提升IPS模式和FFS模式的穿透率或响应时间,满足了用户的使用要求。

本发明一方面提供了一种像素结构,设置于一阵列基板上,且由一个或两个薄膜晶体管器件控制,所述像素结构包括若干凸起结构、若干突起状电极及一底部电极,所述突起状电极制作于所述凸起结构上,所述底部电极位于所述凸起结构下方,制作于所述凸起结构上的突起状电极之间产生水平电场,所述底部电极与制作于所述凸起结构上的突起状电极之间产生侧向水平电场。

其中,每个所述像素结构由两个薄膜晶体管器件控制,每个突起状电极包括一第一像素电极及一第二像素电极,所述第一像素电极及所述第二像素电极提供有相对于所述底部电极电压极性相反的电压,且所述第一像素电极及所述第二像素电极分别制作于不同的凸起结构上形成了对应的突起状电极,或者,所述第一像素电极与第二像素电极制作于同一个凸起结构上,且该第一像素电极与所述第二像素电极之间间隔一预定的距离。

其中,每一所述突起状电极包括一像素电极和/或一公共电极,所述像素电极的位置对应于所述凸起结构的位置,且该像素电极制作于所述凸起结构的外表面上,所述公共电极的位置对应于所述凸起结构的位置,且该公共电极制作于对应的所述凸起结构的外表面上。

其中,所述像素电极与公共电极以及所述凸起结构均由氧化铟锡或者IXO系列的导电性物质制成,同一个像素电极制作于同一个凸起结构上形成一突起状电极,且同一个公共电极制作于同一个凸起结构上形成一突起状电极。

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