[发明专利]像素结构及具有该像素结构的液晶显示器有效

专利信息
申请号: 201510029233.9 申请日: 2015-01-20
公开(公告)号: CN104765207B 公开(公告)日: 2018-05-25
发明(设计)人: 唐岳军 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1368
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫;熊永强
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 像素结构 凸起结构 突起状电极 液晶显示器 底部电极 水平电场 电场 制作 薄膜晶体管器件 侧向水平 正性液晶 穿透率 基板 减小 竖直 液晶 站立 响应
【权利要求书】:

1.一种像素结构,设置于一阵列基板上,且由一个或两个薄膜晶体管器件控制,其特征在于,所述像素结构包括若干凸起结构、若干突起状电极及一底部电极,所述突起状电极制作于所述凸起结构上,每一所述突起状电极包括一像素电极和一公共电极,所述像素电极的位置对应于所述凸起结构的位置,且所述像素电极制作于所述凸起结构的外表面上,所述公共电极的位置对应于所述凸起结构的位置,且所述公共电极制作于对应的所述凸起结构的外表面上;所述底部电极位于所述凸起结构下方,所述像素电极及所述公共电极同时制作于对应的同一个凸起结构的外表面上,该像素电极与所述公共电极之间间隔有一预定的距离,且所述公共电极与位于所述凸起结构下方的底部电极电性连接;制作于所述凸起结构上的突起状电极之间产生水平电场,所述底部电极与制作于所述凸起结构上的突起状电极之间产生侧向水平电场。

2.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述像素电极与公共电极以及所述凸起结构均由氧化铟锡制成。

3.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述凸起结构由树脂类聚合物、overcoat和SiNx系列中的任意一种制成,所述像素电极与所述公共电极由氧化铟锡制成,且所述像素电极及所述公共电极同时制作于对应的同一个凸起结构的外表面上,且该像素电极与所述公共电极之间间隔有一预定的距离。

4.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述凸起结构整体呈圆台状,其截面为梯形,该凸起结构的底面位于所述阵列基板上,或者,所述凸起结构整体为截面呈等腰三角形的直三棱柱,且该凸起结构的一个侧面位于所述阵列基板上。

5.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述凸起结构的形状为圆台状、截面呈等腰三角形的直三棱柱、半椭圆形、半圆形及平行四边形中的任意一种。

6.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述凸起结构的高度为大于等于1微米且小于等于5微米,所述凸起结构的形状为圆台状或直三棱柱状,且所述凸起结构的梯形截面的底角或正三角形的内角为大于等于15度且小于等于80度。

7.一种液晶显示器,其包括阵列基板及彩色滤光片基板,所述彩色滤光片基板位于所述阵列基板的一侧,并对准所述阵列基板,其特征在于,所述液晶显示器还包括如权利要求1至6任意一项所述的像素结构,所述像素结构位于所述阵列基板与所述彩色滤光片基板之间。

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