[发明专利]硅片二次缺陷检测液及检测方法

权利要求书

1.一种硅片二次缺陷检测液，其组成包括硝酸铜溶液、氢氟酸溶液、三氧化铬溶液和硝酸溶液，所述硝酸铜溶液、氢氟酸溶液、三氧化铬溶液和硝酸溶液的体积比为4-7：4-7：2-4：2-4，所述硝酸铜溶液的质量分数为2～6％，氢氟酸溶液的质量分数为40～55％，三氧化铬溶液的质量分数为30～40％，硝酸溶液的质量分数为65～70％。

2.根据权利要求1所述的硅片二次缺陷检测液，其特征在于：所述检测液中硝酸铜溶液、氢氟酸溶液、三氧化铬溶液和硝酸溶液的体积比为6：5：3：3。

3.根据权利要求2所述的硅片二次缺陷检测液，其特征在于：所述硝酸铜溶液的质量分数为3.2％，氢氟酸溶液的质量分数为49％，三氧化铬溶液的质量分数为33.3％，硝酸溶液的质量分数为70％。

4.根据权利要求1所述的硅片二次缺陷检测液，其特征在于：所述检测液还包括质量分数为95～99％的乙酸溶液，所述硝酸铜溶液、氢氟酸溶液、三氧化铬溶液、硝酸溶液和乙酸溶液的体积比为4-7：4-7：2-4：2-4：4-7。

5.根据权利要求4所述的硅片二次缺陷检测液，其特征在于：所述硝酸铜溶液、氢氟酸溶液、三氧化铬溶液、硝酸溶液和乙酸溶液的体积比为6：5：3：3：5；其中，硝酸铜溶液的质量分数为3.2％，氢氟酸溶液的质量分数为49％，三氧化铬溶液的质量分数为33.3％，硝酸溶液的质量分数为70％，乙酸溶液的质量分数为98％。

6.一种硅片二次缺陷检测方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)用酸去除硅片的钝化层；

(2)擦除硅片表面的残留物；

(3)用权利要求1制备的硅片二次缺陷检测液对硅片进行腐蚀处理；

(4)对步骤(3)得到的硅片表面进行清洗烘干并观察。

7.根据权利要求6所述的硅片二次缺陷检测方法，其特征在于：所述步骤(1)中的酸为质量分数为49％的氢氟酸溶液。

8.根据权利要求6所述的硅片二次缺陷检测方法，其特征在于：所述步骤(3)中腐蚀处理所需时间为2-4分钟。

9.根据权利要求6所述的硅片二次缺陷检测方法，其特征在于：所述步骤(3)中硅片二次缺陷检测液对硅片进行腐蚀的速率为每分钟1-1.2μm。

10.根据权利要求5-9任一项所述的硅片二次缺陷检测方法，其特征在于：所述步骤(4)中使用纯净水对硅片表面进行清洗，用相衬干渉光学显微镜对硅片表面观察。