[发明专利]一种电热致动器及其形成方法

说明书

技术领域

本发明涉及单分子器件技术领域，更具体的说，涉及一种电热致动器及其形成方法。

背景技术

单分子在电子学中的使用表征了电子学器件的最小极限，同时，它也引领人们在缩小基于硅的电子器件上继续前进。做单分子器件首先需要解决的一个难题便是裂结的形成。裂结(Break Junction)是一种由两个电极及利用这两个电极通过破坏一个纳米线形成的一个原子级(小于1nm)的缝隙共同构成的电子器件。裂结可用于电接触或是研究单分子的性质。

目前典型的形成裂结的方法有扫描隧道显微镜(Scanning Tunneling Microscope，STM)和机械可控裂结(Mechanically Controllable Break Junction，MCBJ)。STM采用一个扫描针尖，通过压电控制去扎到金属材料中，然后将针再拉出来，形成一个裂结。MCBJ是将两个连接着的电极固定在基片上，然后在基片下面通过传动装置弯曲基片，在两个电极间形成一个裂结。

由于上述两种方法在一次实验中只能形成一个裂结，因此，在裂结量产时浪费大量的时间。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种电热致动器及其形成方法，以实现在一个SOI同时形成多个裂结，解决量产过程时间浪费的问题。

一种电热致动器，所述电热致动器为一体成型的V字型结构，所述V字型结构的两端固定，所述V字型结构的内角部分与纳米线的固定端相对的活动端连接，且与所述纳米线一体成型。

优选的，所述V字型结构悬置有硅层，及设置在所述硅层上的金属层。

一种电热致动器的形成方法，包括：

在绝缘衬底上的硅SOI的预设区域上蒸镀金属层；

在所述SOI上用标准的半导体加工技术，将所述SOI的顶层硅加工成V字型结构，所述V字型结构的两端固定，所述V字型结构的内角部分与纳米线的固定端相对的活动端连接，且与所述纳米线一体成型；

将所述纳米线下面的硅刻蚀掉，使金属层悬空；

将所述V字型结构和所述纳米线下面的二氧化硅腐蚀掉，使所述V字型结构和所述纳米线构成的整体结构悬空；

向所述金属层通预设初始电流；

按照预设幅度逐渐增大所述预设初始电流；

当检测到所述纳米线的阻值达到预设阻值时，停止通电流，裂结形成。

优选的，所述预设阻值为12.9kΩ。

优选的，蒸镀金属层采用电子束蒸发工艺。

优选的，所述标准的半导体加工技术为电子束光刻工艺。

优选的，将所述纳米线下面的硅刻蚀掉采用深硅刻蚀工艺。

从上述的技术方案可以看出，本发明提供了一种电热致动器及其形成方法，在SOI的预设区域上蒸镀金属层，采用标准的半导体加工技术，将SOI的顶层硅加工成V字型结构的电热致动器，其中，V字型结构的两端固定，V字型结构的内角部分与纳米线的固定端相对的活动端连接，且与纳米线一体成型，然后将纳米线下面的硅刻蚀掉，使金属层悬空，将V字型结构和纳米线下面的二氧化硅腐蚀掉，使V字型结构和纳米线构成的整体结构悬空。给电热致动器表面金属通电流，电流产生焦耳热使电热致动器温度升高产生热膨胀，由于电热致动器的两端固定，这样膨胀就会使得其尖端有平行于结构平面向外的移动，由此产生的位移与力将电热致动器和纳米线拉断形成一个裂结。通过在一个SOI加工多个电热致动器，然后对这多个电热致动器的表面金属同时通电流，就可以在一次实验中形成多个裂结，从而解决了量产过程时间浪费的问题。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例公开的一种电热致动器的结构图；

图2为本发明实施例公开的一种电热致动器的主视图；

图3为本发明实施例公开的一种电热致动器形成方法流程图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。