[发明专利]一种多结太阳电池芯片

权利要求书

1.一种多结太阳能电池芯片，其特征在于：包含一垂直通孔阵列，每个通孔侧壁自内向外包含：绝缘层、透明金属层、透明导电层，所述的通孔内填充有透明填料；所述的绝缘层自通孔侧壁延伸至电池芯片上下表面，覆盖上下表面通孔边缘区域，所述的透明金属层、透明导电层延伸至电池芯片上表面，覆盖上表面通孔边缘区域，所述的通孔内透明填料的上表面向通孔内凹陷，形成凹透镜；所述的多结太阳电池芯片包括设置于背面的正负电极，其中正电极与电池芯片直接接触，负电极形成于背面的所述绝缘层之上，并与所述透明金属层、透明导电层接触。

2.根据权利要求1所述的一种多结太阳能电池芯片，其特征在于：所述的垂直通孔贯穿电池芯片，其通孔直径为10-50微米，中心间距为50-150微米。

3.根据权利要求1所述的一种多结太阳能电池芯片，其特征在于：所述的绝缘层自通孔侧壁延伸至电池芯片上下表面，覆盖上下表面沿通孔边缘的部分区域。

4.根据权利要求1所述的一种多结太阳能电池芯片，其特征在于：所述的绝缘层为二氧化硅、氮化硅、三氧化二铝的一种或其组合。

5.根据权利要求1所述的一种多结太阳能电池芯片，其特征在于：所述的透明金属层为镍金合金或金锗合金材料。

6.根据权利要求1所述的一种多结太阳能电池芯片，其特征在于：所述的透明金属层延伸至电池芯片上表面，并且其覆盖区域超出所述绝缘层覆盖上表面区域，使得部分透明金属层与电池芯片上表面接触，并形成欧姆接触。

7.根据权利要求1所述的一种多结太阳能电池芯片，其特征在于：所述的透明导电层为ITO或氧化锌或碳化硅材料，其是用来加厚所述透明金属层来增加导电性。

8.根据权利要求1所述的一种多结太阳能电池芯片，其特征在于：所述的透明导电层自通孔侧壁延伸至电池芯片上表面，其覆盖上表面区域等于或大于所述透明金属层覆盖区域。

9.根据权利要求1所述的一种多结太阳能电池芯片，其特征在于：所述的透明填料填充在通孔内，并在通孔顶部位置形成向通孔内凹陷的凹面，形成凹透镜。

10.根据权利要求9所述的一种多结太阳能电池芯片，其特征在于：所述凹透镜的形成方式为：采用旋涂、喷涂或浸涂方法在电池芯片表面覆盖一层液态透明填料，利用液体在通孔口由于表面张力形成凹面；固化；化学蚀刻去除通孔以外区域的透明填料。