[发明专利]透明导电性层叠体和触摸面板在审
申请号: | 201480062021.4 | 申请日: | 2014-10-28 |
公开(公告)号: | CN105723473A | 公开(公告)日: | 2016-06-29 |
发明(设计)人: | 吉冈和久;森野正行;富田偏央 | 申请(专利权)人: | 旭硝子株式会社 |
主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;B32B9/00;G06F3/041 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 苗堃;金世煜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 透明 导电性 层叠 触摸 面板 | ||
技术领域
本发明涉及透明导电性层叠体和具有该透明导电性层叠体的触摸面板。
背景技术
在透明的基材上层叠有透明导电膜的透明导电性层叠体具有导电性和光学透明性,因此被用作透明电极膜、电磁波屏蔽膜、面状发热膜、防反射膜等,近年来作为触摸面板用电极而受到关注。触摸面板存在电阻膜式、电容耦合式、光学式等多种方式。透明导电膜例如用于通过上下电极接触而确定触摸位置的电阻膜式、感知电容的变化的电容耦合方式。用于电阻膜式的透明导电膜在工作原理上是透明导电膜彼此进行机械接触,因此需要高耐久性。
为了对用作透明导电膜的透明导电性层叠体赋予这样的高耐久性,一直以来,在基材与氧化铟锡等透明导电膜之间设置氧化硅层来增强透明导电膜与基材的密合性。这里,使用SiO2层作为氧化硅层时,虽然实现某种程度的密合性的提高,但是密合性、耐碱性等耐试剂性不充分,不能说满足了所需求的耐久性。另外,使用SiOx(x小于2)层时,虽然得到高的密合性,但导致透明导电膜的表面电阻变化,在这方面存在问题。
因此,为了兼得密合性和透明导电膜的电特性的维持,例如,在专利文献1中记载了从基材侧依次设置相对折射率为1.6~1.9的范围的SiOx(x为1.5以上且小于2)层和SiO2层,并在其上设置透明导电膜的透明导电性层叠体的技术。然而,对于专利文献1中记载的透明导电性层叠体,虽然能够兼得密合性和透明导电膜的电特性的维持,但有时导致透射光的色调变化,并且层的厚度厚,因此希望改善生产率和透光性。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利第4508074号公报
发明内容
本发明的目的在于提供一种透明导电性层叠体,是在基材上层叠有透明导电膜而成的透明导电性层叠体,其在确保基材与透明导电膜的密合性的同时保持透明导电膜的电特性,并且透光特性良好,耐试剂性优异。此外,本发明的目的在于提供一种具备上述透明导电性层叠体的可靠性高的触摸面板。
本发明的透明导电性层叠体具有透明基材、设置在上述透明基材的一个主面上的厚度为3~60nm的SiOx1层(其中,x1为1.8以上且小于2.0)、设置在上述SiOx1层上的厚度为0.2~5nm的SiOx2层(其中,x2为1.9~2.0且大于x1)、和设置在上述SiOx2层上的以氧化铟锡为主体的导电层。
另外,本发明的触摸面板具备上述本发明的透明导电性层叠体。
根据本发明,能够提供一种透明导电性层叠体,是在基材上层叠有透明导电膜的透明导电性层叠体,其在确保基材与透明导电膜的密合性的同时保持透明导电膜的电特性,并且透光特性良好,耐试剂性优异。此外,根据本发明,能够提供一种具备上述透明导电性层叠体的可靠性高的触摸面板。
附图说明
图1是表示本发明的透明导电性层叠体的实施方式的一个例子的截面图。
图2是表示本发明的透明导电性层叠体的实施方式的另一个例子的截面图。
具体实施方式
以下,一边参照附图一边对本发明的实施方式进行说明。应予说明,本发明不受下述说明限定解释。
[透明导电性层叠体]
图1和图2是分别表示本发明的透明导电性层叠体的实施方式的一个例子和另一个例子的截面图。
图1和图2中,透明导电性层叠体10具有透明基材1、设置在透明基材1的一个主面上的厚度为3~60nm的SiOx1层2(其中,x1为1.8以上且小于2.0)、设置在SiOx1层2上的厚度为0.2~5nm的SiOx2层3(其中,x2为1.9~2.0且大于x1)、和设置在SiOx2层3上的以氧化铟锡为主体的导电层4。
图2所示的透明导电性层叠体10是透明基材1在两主面上具有树脂层5a、5b,在一侧树脂层5a上依次设有SiOx1层2、SiOx2层3和导电层4的构成。应予说明,本发明的透明导电性层叠体中,图2所示的树脂层5a、5b这样的树脂层是任意设置的层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旭硝子株式会社,未经旭硝子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201480062021.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体模块
- 下一篇:存储在NAND存储器设备中的数据的防故障刷新