[发明专利]具有电容性耦合的连接器和同轴电缆在审

专利信息
申请号: 201480058702.3 申请日: 2014-10-22
公开(公告)号: CN105684237A 公开(公告)日: 2016-06-15
发明(设计)人: J.D.佩因特;F.哈瓦特;R.A.瓦卡罗 申请(专利权)人: 康普科技有限责任公司
主分类号: H01R24/38 分类号: H01R24/38;H01R9/05
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 葛青
地址: 美国北卡*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 具有 电容 耦合 连接器 同轴电缆
【说明书】:

相关申请

本申请要求于2013年10月24日提交的美国临时专利申请61/895,113的权益和优 先权。本申请是于2013年12月10日提交的美国专利申请14/102,042的部分继续申请,并且 要求该专利申请的权益和优先权。这两个文档的公开内容均全文引用于此作为参考。

技术领域

本发明总体涉及一种电缆连接器,并且更特别地涉及一种用于电缆的同轴连接 器。

背景技术

同轴电缆通常地用于RF通信系统中。典型的同轴电缆包括内导体、外导体、将内导 体和外导体间隔开的介电层、以及遮盖外导体的护套。同轴电缆可被应用到端部同轴电缆, 例如,用于需要高度的精确度和可靠性的通信系统中。

同轴连接器接口在(a)与具有所需的连接器接口的连接器端接的电缆和(b)具有 安装在设备或另一电缆上的配合连接器接口的相应的连接器之间提供连接/断开的功能。 典型地,一个连接器将包括连接到内导体的诸如销或柱的结构和连接到外导体的外导体连 接器本体;这些与配合套管(对于内导体的销或柱)以及第二同轴连接器的另一外导体连接 器本体配合。同轴连接器接口通常使用带螺纹的联接螺母或其他保持件,当联接螺母(由连 接器中的一个固持)被旋至另一连接器时,其将连接器接口对拉至牢固的电气-机械接合。

无源互调失真(PIM)是电气干扰/信号传递衰减的一种形式,其可能随着电气-机 械互连随着时间移位或损害时发生和/或少于对称互连而发生。互连可能由于机械应力、振 动、热循环和/或材料降解而移位。PIM可能是一个重要的互连质量特性,因为有单个低质量 的互连产生的PIM可能损害整个RF系统的电性能。因此,典型地需要通过连接器设计而减少 PIM。

发明内容

在第一方面,本发明的实施例涉及一种同轴连接器连结部,其包括第一和第二同 轴连接器。第一同轴连接器包括:第一中心导体延伸部,包括大致圆柱形的柱;第一外导体 延伸部,其与第一中心导体延伸部间隔开并且周向地环绕该第一中心导体延伸部;以及第 一介电分隔件,介于第一中心导体延伸部和第一外导体延伸部之间。第二同轴连接器包括: 第二中心导体延伸部,该第二中心导体延伸部在其中包括大致圆柱形的腔;第二外导体延 伸部,其与第二中心导体延伸部间隔开并且周向地环绕该第二中心导体延伸部;以及第二 介电分隔件,介于第二中心导体延伸部和第二外导体延伸部之间。第一同轴连接器接合第 二同轴连接器,第一中心导体延伸部的柱被插入到第二中心导体延伸部的腔中,使得电容 性元件通过第一中心导体延伸部和第二中心导体延伸部之间的间隙而形成在第一和第二 中心导体延伸部之间。

在第二方面,本发明的实施例涉及一种同轴连接器连结部,其包括第一同轴连接 器和第二同轴连接器。第一同轴连接器包括:第一中心导体延伸部,包括柱,该柱至少部分 地被包括收缩套管的第一介电层遮盖;第一外导体延伸部,其与第一中心导体延伸部间隔 开并且周向地环绕该第一中心导体延伸部;以及第一介电分隔件,介于第一中心导体延伸 部和第一外导体延伸部之间。第二同轴连接器包括:第二中心导体延伸部,该第二中心导体 延伸部在其中包括腔;第二外导体延伸部,其与第二中心导体延伸部间隔开并且周向地环 绕该第二中心导体延伸部;以及第二介电分隔件,介于第二中心导体延伸部和第二外导体 延伸部之间。第一同轴连接器接合第二同轴连接器,第一中心导体延伸部的柱被插入到第 二中心导体延伸部的腔中,使得电容性元件形成在第一和第二中心导体延伸部之间。

在第三方面,本发明的实施例涉及一种同轴连接器连结部,其包括第一同轴连接 器和第二同轴连接器。第一同轴连接器包括:第一中心导体延伸部;附接到第一中心导体延 伸部的介电元件,该介电元件具有平的接触表面;第一外导体延伸部,其与第一中心导体延 伸部间隔开并且周向地环绕该第一中心导体延伸部;以及第一介电分隔件,介于第一中心 导体延伸部和第一外导体延伸部之间。第二同轴连接器包括:具有平的接触表面的第二中 心导体延伸部;第二外导体延伸部,其与第二中心导体延伸部间隔开并且周向地环绕该第 二中心导体延伸部;以及第二介电分隔件,介于第二中心导体延伸部和第二外导体延伸部 之间。第一同轴连接器接合第二同轴连接器,第二中心导体延伸部的接触表面邻接附接到 第一中心导体延伸部的介电元件的接触表面,使得第一电容性元件形成在第一和第二中心 导体延伸部之间。

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