[发明专利]用于制备纹理化膜的系统和方法在审
申请号: | 201480057259.8 | 申请日: | 2014-10-09 |
公开(公告)号: | CN105684129A | 公开(公告)日: | 2016-06-15 |
发明(设计)人: | 约翰·P·贝茨尔德;米切尔·A·F·约翰逊;史蒂文·J·麦克曼;弗兰克·T·谢尔;罗伯特·A·亚佩尔;帕特里克·J·叶舍 | 申请(专利权)人: | 3M创新有限公司 |
主分类号: | H01L21/20 | 分类号: | H01L21/20 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 顾红霞;彭会 |
地址: | 美国明*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制备 纹理 系统 方法 | ||
背景技术
压敏粘结剂可用于接合两种材料。粘合剂和材料之间的界面对于接合材料的性能 来说极为重要。任一界面上的粘附力损耗都可能导致材料失去用途。
需要峰值性能的粘附界面的一个示例是粘附到基底的显示图像图形的耐用膜,其 中膜是背衬材料,粘合剂层被添加到该背衬材料上以用于粘附到基底。将大图像图形膜粘 附到基底遇到在膜和基底之间夹带空气的问题。曾经试图贴墙纸的任何人都可理解当夹带 在带粘合剂背衬的膜下面的空气不能被容易地移除时的挫折。该问题的一些解决方案是移 除并重新施加膜,或者将膜穿孔以释放夹带的空气。用以将相同的膜粘附到基底的多种尝 试可损害压敏粘合剂或增加基底上不均匀的或未对准膜的概率。将膜穿孔损坏其外观。移 除气泡也是费力的。
另一个解决方案是将结构性空气排出特征结构引入粘合剂层中。这样做的一种方 式是形成具有在膜安装期间促进空气排出的凹陷微通道的连续网络的粘合剂层。美国专利 5,897,930,“MultipleEmbossedWebs”(多重压印幅材)讨论了具有脊网络的压印剥离衬 件。可将粘合剂层施加到剥离衬件的压印侧上。然后可将粘合剂涂覆的衬件的粘合剂侧层 压到例如图形膜。剥离衬件充当模具以将微通道的网络(对应于脊)引入粘合剂层中。微通 道在膜安装期间促进空气排出。
发明内容
用于提供幅材诸如剥离衬件的系统,该系统具有纹理化表面,该纹理化表面的特 征在于微脊网络。当可成形材料诸如压敏粘合剂层与幅材的纹理化表面接触时,纹理化表 面充当模具并且压敏粘合剂层在纹理化表面周围形成以引入在大小和尺寸上与衬件的微 脊对应的微通道的网络。
衬件幅材通过分离过程制成,该分离过程使辊表面与已被施加到膜上的粘性可剥 离、可涂覆型材料接触。润湿的辊表面在分离步骤中旋转远离膜,该分离步骤将混杂形貌结 构引入到粘性可剥离材料中。辊表面可包括形貌辊特征结构,诸如包括重复条带、正方形、 或菱形、或线矩阵的插入凹槽,所包括的内容取决于可剥离材料的粘度,将在分离步骤之后 在粘性可剥离材料中以一定程度表达它们自身。所得衬件膜包括由与正面辊的不具有特征 结构的区域相关联的分离步骤造成的第一方面,以及由与正面辊的具有特征结构的区域相 关联的分离步骤造成的第二方面。同时,在一些实施例中,这些第一方面和第二方面特征结 构结合以在可涂覆型材料中提供可使其适用于某些应用的随后的图案,诸如结构化剥离衬 件,其将充当用于另外的粘合剂层的模具,从而赋予粘合剂层与剥离衬件的表面形貌相反 的结构。在一些应用中,该粘合剂层可与另外的图形膜接合(在不与剥离衬件接触的侧面 上)。图形膜/粘合剂层可与结构化剥离衬件分离,然后施加。在粘合剂层中赋予的结构可在 安装图形膜的同时促进空气排出。
在一个实施例中,描述了制备具有复杂形貌的幅材的方法,该方法包括向基底的 第一主表面施加第一可涂覆型材料;将第一可涂覆型材料的粘度从第一粘度改变为第二粘 度以形成第二可涂覆型材料;使基底上的第二可涂覆型材料与正面辊接触,该正面辊具有 第一主表面和设置到正面辊的第一主表面中的多个辊特征结构;分离基底和正面辊之间的 第二可涂覆型材料,以在基底上的第二可涂覆型材料中形成所得纹理,其中所得纹理包括 第一区域和第二区域,该第一区域与正面辊的第一主表面和基底之间的分离相关联,该第 二区域从正面辊上的与辊特征结构中的至少一个相关联辊特征结构的区域和基底之间的 分离得到,并且其中所得纹理在至少第二区域内包括凸脊特征结构的互连网络;以及硬化 形成所得纹理的第二可涂覆型材料以制备具有随后的纹理化表面的幅材。出于本公开的目 的,膜是一种类型的幅材。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造