[发明专利]装配有枢纽臂的化学机械抛光机有效
申请号: | 201480052565.2 | 申请日: | 2014-10-08 |
公开(公告)号: | CN105580115B | 公开(公告)日: | 2020-02-18 |
发明(设计)人: | S·M·苏尼加;陈志宏;J·古鲁萨米 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 黄嵩泉 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 装配 枢纽 化学 机械 抛光机 | ||
提供一种化学机械抛光系统。所述化学机械抛光系统包含台板、装载罩、枢纽、第一抛光臂以及第二抛光臂,所述第一抛光臂从所述枢纽悬伸,并且绕所述台板与所述装载罩之间的所述枢纽的中心线是可旋转的,所述第二抛光臂从所述枢纽悬伸,并且绕所述台板与所述装载罩之间的所述枢纽的中心线是可旋转的,所述第二臂独立于所述枢纽是可旋转的。
技术领域
本发明的具体实施例大体上涉及用于在化学机械抛光系统中搬运半导体基板的方法与设备。
背景技术
在制造现代半导体集成电路(ICS)的工艺中,开发在先前形成的层和结构上的各种材料层是必要的。然而,先前的形成经常使顶表面形貌不适于后续的材料层的位置。例如,当在先前形成的层上印制具有小几何结构的光刻图案时,要求浅焦点深度。因此,具有平坦的和平面的表面变成是必要的,否则,此图案中的一些将是焦点对准,而此图案的其他部分将不是如此。此外,如果在某些处理步骤之前未将不规则性校平,则基板的表面形貌可能变得更不规则,从而随着多个层在进一步的处理期间堆叠而导致进一步的问题。取决于所涉及的管芯类型和几何尺寸,这些表面不规则性可能造成不佳的良率和器件性能。因此,在集成电路制造期间实现对膜的某种类型的平坦化或抛光是期望的。
一种用于在IC制造期间对层平坦化的方法是化学机械抛光(CMP)。一般而言,化学机械抛光涉及将基板压抵抛光材料,同时在抛光流体存在的情况下验证基板与抛光材料之间的相对运动。此抛光流体典型地包含辅助平坦化工艺的磨料或化学抛光合成物中的至少一种。此基板可以通过具有较精细的磨料材料和/或化学材料的若干不同的抛光材料进展以实现高度平坦化或抛光的表面。一旦经抛光,半导体基板就从CMP被转移至一系列清洁模块,这一系列清洁模块去除在抛光之后粘着至此基板的磨料颗粒和/或其他污染物。
随着客户的应用需要变得更加多样与复杂,对提供可配置且灵活的化学机械抛光系统的期望变得至关重要。常规的化学机械抛光系统一般需要所有的抛光头在抛光台板与装载罩之间移动,或是需要所有的抛光头一致地移动到其他工艺/测量站,由此使产量将依赖于在系统中被执行最久的工艺的完成。此外,期望CMP系统可配置成使来自由系统的组件的移动而生成的颗粒的(实际的与感知的)的缺陷问题最小化。
因此,本领域中需要一种在CMP系统中搬运半导体基板的改进的方法与设备。
发明内容
在第一实施例中,提供化学机械抛光系统。所述化学机械抛光系统包含:台板;装载罩;枢纽;第一抛光臂,所述第一抛光臂从所述枢纽悬伸,并且绕所述台板与所述装载罩之间的所述枢纽的中心线是可旋转的;以及第二抛光臂,所述第二抛光臂从所述枢纽悬伸,并绕所述台板与所述装载罩之间的所述枢纽的所述中心线是可旋转的,所述第二臂独立于所述枢纽是可旋转的。
在第二实施例中,提供化学机械抛光系统。所述化学机械抛光系统包含:台板;装载罩;枢纽,所述枢纽绕第一轴是可旋转的;第一抛光臂,所述第一抛光臂以枢轴方式附连至所述枢纽上的第一支点,并且在所述台板与所述装载罩之间是可移动的;以及第二抛光臂,所述第二抛光臂以枢轴方式附连至所述枢纽上的第二支点,并且在所述台板与所述装载罩之间是可移动的。
在又一实施例中,提供一种用于由基板搬运器移动基板的方法。所述方法包含以下步骤:将基板从装载罩装载到第一抛光头中,所述第一抛光头附连至第一抛光臂的第一端,其中所述第一抛光臂的第二端以枢轴方式附连至可转位枢纽上的第一支点;以及通过使所述枢纽转位或绕所述支点旋转所述第一抛光,臂来将所述基板移动至处理站。
附图说明
因此,为了可详细地获得并理解本发明的上述实施例的方式,可通过参照本发明的实施例来进行对上文中简要概述的本发明的更特定的描述,在所附附图中示出实施例。然而,要注意的是,所附附图仅示出此发明的典型实施例,并且因此不视为限制本发明的范围,因为本发明可承认其他等效的实施例。
图1是具有抛光模块的化学机械抛光(CMP)系统的俯视图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造