[发明专利]具有贮存盘寿命估计机制的电子系统及其操作的方法有效

专利信息
申请号: 201480052128.0 申请日: 2014-08-05
公开(公告)号: CN105579970B 公开(公告)日: 2019-04-30
发明(设计)人: J.菲茨帕特里克;M.丹乔;J.M.希金斯;J.M.克雷塞 申请(专利权)人: 桑迪士克科技有限责任公司
主分类号: G06F11/00 分类号: G06F11/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 万里晴
地址: 美国得*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 具有 贮存 寿命 估计 机制 电子 系统 及其 操作 方法
【说明书】:

系统、方法和/或装置被用于使能贮存盘寿命估计。在一个方面,该方法包括(1)确定贮存盘的两个或更多年龄标准,以及(2)根据所述贮存盘的两个或更多年龄标准确定所述贮存盘的盘年龄。

技术领域

发明一般地涉及电子系统,并且更具体地涉及具有贮存盘(storage drive)寿命估计机制的系统。

背景技术

所有电子系统需要某种形式的存储器或贮存器。数据贮存器——通常被称为贮存器或存储器——指保留数字数据的计算机组件和记录介质。数据贮存是消费和工业电子、特别是诸如计算机、电视机、蜂窝电话、移动装置和数字摄像机的装置的核心功能和基本组件。

近来,除了机电的硬盘以外的长期贮存的形式在计算机中的使用变为可行的。这些中的一种是闪速电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)。闪速EEPROM存储器包括布置为存储器单元的多个浮置栅极场效应晶体管。NAND闪速是用在固态贮存装置中的非易失性存储器的一种形式。存储器单元被以典型的行和列的方式布置,具有用于访问每个单元的电路。那些单元的存储器晶体管可以贮存可被转译成为单级单元(SLC)保持两个逻辑性状态或者为多级单元(MLC)保持多于两个逻辑性状态的模拟值。

闪速存储器单元——例如典型的EEPROM单元——但是与动态随机存取存储器(DRAM)存储器相反——当移除电源时保留信息。闪速EEPROM存储器具有多个特征,这些特征使其适应于用作长期存储器。其在重量上轻便,占据非常有限的空间,并且比机电的硬盘消耗更少的功率。构建具有该类型的存储器的贮存系统允许比典型的机电的硬盘高得多的带宽以及更高的每秒的输入/输出操作。更重要地,其特别地坚固并且可以在高得多的温度范围处操作。其将经受重复的坠落而没有不利的效果,该不利的效果的每一个将损坏典型的机电的硬盘。闪速存储器以及包含闪速存储器的贮存装置所展现的问题在于其倾向于具有有限的使用寿命。

因此,仍然存在对更好的贮存寿命估计以解决电子系统的故障和耐用性的需求。鉴于对电子系统的贮存管理的增长的需求,找到这些问题的答案变得越来越关键。鉴于不断增长的商业竞争压力,以及增长的客户期望以及在市场中有意义的产品的差别的逐渐减少的机会,对于找到这些问题的答案是关键的。此外,对于减少成本、改善效率和性能以及满足竞争压力的需求进一步向寻找这些问题的答案的关键必要性增加了更大的紧迫性。

一直以来在寻找这些问题的解决方案,但是现有发展没有教导或者提示任何解决方案,并且因此,本领域技术人员长时间没有找到这些问题的答案。

附图说明

图1是本发明的实施例中的具有贮存盘寿命估计机制的电子系统。

图2是存储器控制器的示例性硬件框图。

图3是指示盘性能作为盘损耗的函数的图表。

图4是指示生长的瑕疵的数量作为贮存盘年龄的函数的图表。

图5是指示盘年龄作为瑕疵率的函数的图表。

图6是图1的电子系统的贮存盘中的贮存块的示例图。

图7是电子系统的图2的存储器控制器的控制流程。

图8是电子系统的图2的存储器控制器的控制流程的第二示例。

图9是本发明的进一步实施例中的图1的电子系统的操作的方法的流程图。

具体实施方式

这里所述的各种实现方式包括被用于使能贮存盘寿命估计的系统、方法和/或装置。一些实现方式包括根据贮存装置的两个或更多年龄标准确定贮存装置的盘年龄的系统、方法和/或装置。

更具体地,一些实施例包括电子系统的操作的方法。在一些实施例中,方法包括(1)确定贮存盘的两个或更多年龄标准,以及(2)根据所述贮存盘的两个或更多年龄标准确定所述贮存盘的盘年龄。

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