[发明专利]太阳能电池及其制造方法、半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种晶体管，其具有至少1层半导体层，该半导体层包含无机颗粒和相对介电常数为5以上150以下的有机化合物，

所述无机颗粒为金属氧化物颗粒或硅颗粒，

所述半导体层中的所述无机颗粒的含量为10质量％以上90质量％以下，

所述半导体层的载流子迁移率为0.0001cm²/Vs以上。

2.一种薄膜晶体管，其具有至少1层半导体层，该半导体层包含无机颗粒和相对介电常数为5以上150以下的有机化合物，

所述无机颗粒为金属氧化物颗粒或硅颗粒，

所述半导体层中的所述无机颗粒的含量为10质量％以上90质量％以下，

所述半导体层的载流子迁移率为0.0001cm²/Vs以上。

3.一种晶体管的制造方法，该晶体管具有载流子迁移率为0.0001cm²/Vs以上的半导体层，该制造方法包括下述工序：

准备涂布液，将所准备的所述涂布液涂布至半导体层、绝缘体层、或具有电极的基板上的工序；和

使所涂布的所述涂布液干燥，从该涂布液中除去下述分散剂中的至少一部分的工序，

使所述涂布液干燥的温度为20℃以上150℃以下，

所述涂布液是包含无机颗粒、相对介电常数为5以上的有机化合物、和1种以上的分散剂的涂布液，并且，

所述无机颗粒为金属氧化物颗粒或硅颗粒，

所述涂布液中的所述无机颗粒的含量为0.1质量％以上49.9质量％以下，

所述涂布液中的所述有机化合物的含量为0.1质量％以上49.9质量％以下，

所述涂布液中的所述分散剂的含量为0.2质量％以上99.8质量％以下。

4.一种薄膜晶体管的制造方法，该薄膜晶体管具有载流子迁移率为0.0001cm²/Vs以上的半导体层，该制造方法包括下述工序：

准备涂布液，将所准备的所述涂布液涂布至半导体层、绝缘体层、或具有电极的基板上的工序；和

使所涂布的所述涂布液干燥，从该涂布液中除去下述分散剂中的至少一部分的工序，

使所述涂布液干燥的温度为20℃以上150℃以下，

所述涂布液是包含无机颗粒、相对介电常数为5以上的有机化合物、和1种以上的分散剂的涂布液，并且，

所述无机颗粒为金属氧化物颗粒或硅颗粒，

所述涂布液中的所述无机颗粒的含量为0.1质量％以上49.9质量％以下，

所述涂布液中的所述有机化合物的含量为0.1质量％以上49.9质量％以下，

所述涂布液中的所述分散剂的含量为0.2质量％以上99.8质量％以下。

5.涂布液在权利要求1所述的晶体管的制造中的应用，该涂布液包含无机颗粒、相对介电常数为5以上的有机化合物、和1种以上的分散剂，其中，

所述无机颗粒为金属氧化物颗粒或硅颗粒，

所述涂布液中的所述无机颗粒的含量为0.1质量％以上49.9质量％以下，

所述涂布液中的所述有机化合物的含量为0.1质量％以上49.9质量％以下，

所述涂布液中的所述分散剂的含量为0.2质量％以上99.8质量％以下。

6.涂布液在权利要求2所述的薄膜晶体管的制造中的应用，该涂布液包含无机颗粒、相对介电常数为5以上的有机化合物、和1种以上的分散剂，其中，

所述无机颗粒为金属氧化物颗粒或硅颗粒，

所述涂布液中的所述无机颗粒的含量为0.1质量％以上49.9质量％以下，

所述涂布液中的所述有机化合物的含量为0.1质量％以上49.9质量％以下，

所述涂布液中的所述分散剂的含量为0.2质量％以上99.8质量％以下。