[发明专利]固态成像器件、固态成像器件的驱动方法及电子装置有效
| 申请号: | 201480048428.1 | 申请日: | 2014-09-12 |
| 公开(公告)号: | CN105518862B | 公开(公告)日: | 2019-04-05 |
| 发明(设计)人: | 石渡宏明 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/374;H04N9/07 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 曹正建;陈桂香 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 固态 成像 器件 驱动 方法 电子 装置 | ||
1.一种固态成像器件,其包括:
像素阵列部,所述像素阵列部包括布置在所述像素阵列部的中心部分的第一单元像素和布置在所述像素阵列部的周边部分的第二单元像素,所述第一单元像素和所述第二单元像素中的每一者都包括:
第一像素,其包括光电转换单元,所述光电转换单元接收并光电转换入射光,以便获得颜色分量信号;以及
第二像素,其包括成对的第一光电转换单元和第二光电转换单元,所述第一光电转换单元和所述第二光电转换单元的光接收表面的尺寸取决于图像高度,以便获得相位差检测信号,成对的所述第一光电转换单元和所述第二光电转换单元均包括:
第一区域,其用作电荷累积主要部分;及
第二区域,其执行光电转换并促进电荷向所述主要部分传输,
其中,所述第一单元像素中的所述成对的所述第一光电转换单元和所述第二光电转换单元的所述光接收表面具有相同的尺寸,并且
其中,所述第二单元像素中的所述成对的所述第一光电转换单元和所述第二光电转换单元的所述光接收表面具有不同的尺寸。
2.如权利要求1所述的固态成像器件,其中,在成对的所述第一光电转换单元和所述第二光电转换单元中,光入射侧的所述第二区域具有取决于光瞳校正的尺寸,且所述光入射侧的相对侧的所述第一区域具有相同的尺寸。
3.如权利要求2所述的固态成像器件,其中,所述第一区域中的杂质浓度高于所述第二区域中的杂质浓度。
4.如权利要求3所述的固态成像器件,其中,所述第二区域大于所述第一区域。
5.如权利要求1所述的固态成像器件,其还包括:
第一传输晶体管,其传输累积在所述第一光电转换单元中的电荷;以及
第二传输晶体管,其传输累积在所述第二光电转换单元中的电荷,其中,在所述第一光电转换单元中,靠近所述第一传输晶体管的第一区域中的杂质浓度高于作为第二区域的其它区域中的杂质浓度,
在所述第二光电转换单元中,靠近所述第二传输晶体管的第一区域中的杂质浓度高于作为第二区域的其它区域中的杂质浓度,以及
所述第一光电转换单元和所述第二光电转换单元具有取决于光瞳校正的尺寸,且所述第一光电转换单元的所述第一区域和所述第二光电转换单元的所述第一区域具有相同的尺寸。
6.如权利要求5所述的固态成像器件,其中,
所述第一传输晶体管被布置成靠近离所述第一光电转换单元的所述光接收表面的中心最近的位置,且
所述第二传输晶体管被布置成靠近离所述第二光电转换单元的所述光接收表面的中心最近的位置。
7.如权利要求6所述的固态成像器件,其还包括:
第一浮动扩散区,其用于保持通过所述第一传输晶体管从所述第一光电转换单元传输的电荷,以使该电荷作为信号被读出;以及
第二浮动扩散区,其用于保持通过所述第二传输晶体管从所述第二光电转换单元传输的电荷,以使该电荷作为信号被读出。
8.如权利要求7所述的固态成像器件,其中,所述第一光电转换单元和所述第二光电转换单元中的曝光和传输是同时执行的。
9.如权利要求1-8中任一项所述的固态成像器件,其中,成对的所述第一光电转换单元和所述第二光电转换单元包括位于所述第一光电转换单元与所述第二光电转换单元之间的连续地改变的分离部。
10.如权利要求9所述的固态成像器件,其中,所述分离部通过金属、氧化膜或杂质形成。
11.一种根据权利要求1-10中任一项所述的固态成像器件的驱动方法,所述方法包括以下步骤:
通过像素驱动单元单独地驱动成对的所述第一光电转换单元和所述第二光电转换单元,以便同时执行所述第一光电转换单元和所述第二光电转换单元中的曝光和传输。
12.一种电子装置,其包括根据权利要求1-10中任一项所述的固态成像器件和控制单元,所述控制单元通过使用从所述固态成像器件输出的所述相位差检测信号来控制图像表面相位差自动对焦。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





