[发明专利]机械变形金属颗粒有效
申请号: | 201480047114.X | 申请日: | 2014-09-24 |
公开(公告)号: | CN105493294B | 公开(公告)日: | 2018-11-20 |
发明(设计)人: | 理查德·汉密尔顿·休厄尔 | 申请(专利权)人: | 太阳能公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/0745;H01B1/02 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 顾丽波;李荣胜 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 机械 变形 金属 颗粒 | ||
本发明提供了一种太阳能电池,所述太阳能电池可包括基板以及设置在所述基板中或所述基板上方的半导体区。所述太阳能电池还可包括设置在所述半导体区上的导电触点,其中所述导电触点包括机械变形导电颗粒。本发明还提供了一种制造所述太阳能电池的方法,所述方法可包括沉积金属颗粒以及使所述金属颗粒机械变形。所述方法还可包括为所述太阳能电池形成导电触点,所述导电触点包括所述机械变形金属颗粒。
背景技术
光伏电池(常被称为太阳能电池)是熟知的用于将太阳辐射直接转换为电能的装置。一般来讲,使用半导体加工技术在基板的表面附近形成p-n结而在半导体晶片或基板上制造太阳能电池。照射在基板表面上并进入基板内的太阳辐射在基板主体中形成电子空穴对。电子空穴对迁移至基板中的p掺杂区和n掺杂区,从而使掺杂区之间生成电压差。将掺杂区连接至太阳能电池上的导电区,以将电流从电池引导至与其耦接的外部电路。
效率是太阳能电池的重要特性,因其直接与太阳能电池发电能力有关。同样,制备太阳能电池的效率直接与此类太阳能电池的成本效益有关。因此,提高太阳能电池效率的技术或提高制造太阳能电池效率的技术是普遍所需的。本公开的一些实施例允许通过提供制造太阳能电池结构的新工艺而提高太阳能电池的制造效率。本公开的一些实施例允许通过提供新型太阳能电池结构来提高太阳能电池效率。
附图说明
图1A和图1C示出了根据一些实施例的示例性太阳能电池的一部分的横截面图,该太阳能电池具有形成在发射极区上的导电触点,发射极区形成在基板上方。
图1B和图1D示出了根据一些实施例的示例性太阳能电池的一部分的横截面图,该太阳能电池具有形成在发射极区上的导电触点,发射极区形成在基板中。
图2A至图2D、图3A至图3D以及图4A至图4C示出了根据一些实施例的形成导电触点的示例性序列的横截面图。
图5A至图5E示出了根据一些实施例的导电触点的横截面的显微镜图。
图6是根据一个实施例的流程图,它示出了形成导电触点的示例性方法。
图7示出了根据一些实施例的示例性图表,它示出了导电触点的线路电阻。
图8示出了根据各种实施例的金属颗粒的划痕试验的结果。
具体实施方式
以下具体实施方式在本质上只是说明性的,而并非意图限制本申请的主题的实施例或此类实施例的用途。如本文所用,词语“示例性”意指“用作例子、实例或举例说明”。本文描述为示例性的任何具体实施未必理解为相比其他具体实施优选的或有利的。此外,并不意图受前述技术领域、背景技术、发明内容或以下具体实施方式中提出的任何明示或暗示的理论的约束。
本说明书包括对“一个实施例”或“实施例”的提及。短语“在一个实施例中”或“在实施例中”的出现不一定是指同一实施例。特定的特征、结构或特性可以任何与本公开一致的合适方式加以组合。
术语。以下段落提供存在于本公开(包括所附权利要求书)中的术语的定义和/或背景:
“包含”。该术语是开放式的。如在所附权利要求书中所用,该术语并不排除另外的结构或步骤。
“被配置为”。各种单元或组件可被描述或主张成“被配置为”执行一项或多项任务。在这样的背景下,“被配置为”用于通过指示该单元/组件包括在操作期间执行一项或多项那些任务的结构而暗示结构。因此,即使当指定的单元/组件目前不在操作(例如,未开启/激活)时,也可将该单元/组件说成是被配置为执行任务。详述某一单元/电路/组件“被配置为”执行一项或多项任务明确地意在对该单元/组件而言不援用35U.S.C.§112第六段。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于太阳能公司,未经太阳能公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201480047114.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的