[发明专利]用于金属化的对准有效
申请号: | 201480046905.0 | 申请日: | 2014-09-25 |
公开(公告)号: | CN105531832B | 公开(公告)日: | 2017-09-26 |
发明(设计)人: | 涂修文 | 申请(专利权)人: | 太阳能公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 顾丽波,李荣胜 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 金属化 对准 | ||
技术领域
本文所述主题的实施例整体涉及光伏组件,包括太阳能电池、光伏层压板和光伏模块。更具体地讲,所述主题的实施例涉及太阳能电池、光伏层压板和制造工艺。
背景技术
太阳能电池是熟知的用于将太阳辐射转换成电能的装置。它们可以在半导体晶片上用半导体加工技术制造。光伏电池或太阳能电池包括P型扩散区和N型扩散区。撞击在太阳能电池上的太阳辐射产生迁移至扩散区的电子和空穴,从而在扩散区之间形成电压差。在背接触太阳能电池中,扩散区和与它们耦接的金属接触指均位于太阳能电池的背面上。接触区和接触指允许外部电路耦接到太阳能电池上并由太阳能电池供电。可使用各种工艺和密封剂材料将太阳能电池封装到光伏层压板中,其中光伏层压板可进一步被封装到光伏模块中。一个或多个实施例涉及光伏电池或太阳能电池以及光伏层压板制造工艺。
发明内容
在一个实施例中,公开了一种用于金属化第一太阳能电池的方法。该方法可包括将图案化的金属箔或穿孔的金属箔置于第一太阳能电池上。图案化的金属箔可包括正母线、负母线、从正母线延伸的正接触指、从负母线延伸的负接触指、金属条和薄片。图案化的金属箔还可包括连接正接触指和负接触指的金属条和薄片。该方法还可包括将图案化的金属箔耦接至第一太阳能电池,并移除薄片和金属条,当移除金属条后,正母线和负母线不再彼此连接。
在一个实施例中,公开了另一种用于金属化第一太阳能电池的方法。该方法可包括使用烧蚀工艺来图案化金属箔。该方法还可包括使用可视对准系统将图案化的金属箔置于第一太阳能电池上,图案化的金属箔使得正母线和负母线由金属条和薄片彼此连接。该方法还包括将图案化的金属箔耦接至第一太阳能电池,并通过拉动金属条的边缘移除图案化的金属箔的薄片和金属条,当移除金属条后,正母线和负母线不再彼此连接。
在一个实施例中,公开了一种用于金属化光伏层压板的方法。该方法可包括将密封剂置于实质透明层上。该方法还可包括将第一太阳能电池置于密封剂上。该方法还可包括将图案化的金属箔置于第一太阳能电池上,图案化的金属箔使得正母线和负母线由金属条和薄片彼此连接。该方法可包括将图案化的金属箔耦接至第一太阳能电池,并移除薄片和金属条,当移除金属条和薄片后,正母线和负母线不再彼此连接。
附图说明
当结合以下附图考虑时,通过参见具体实施方式和权利要求书可以更完全地理解所述主题,其中在所有附图中,类似的附图标记是指类似的元件。
图1是根据一些实施例的金属化太阳能电池的示例性方法的流程示意图;
图2是根据一个实施例的太阳能电池上图案化的金属箔的示意性平面图;
图3和图4是根据一些实施例从图案化的金属箔上移除金属条和薄片的示意性平面图;
图5是根据一些实施例的太阳能电池的示意性平面图;
图6和图7是根据一些实施例形成图案化的金属箔的示意性平面图;
图8是根据一些实施例的太阳能电池串的示意性平面图;
图9是根据一些实施例的另一个太阳能电池串的示意性平面图;
图10示出了根据本发明公开的金属化技术制造的示例性太阳能电池的横截面;
图11示出了根据本发明公开的金属化技术制造的另一个示例性太阳能电池的横截面;
图12是根据一些实施例的金属化光伏模块的示例性方法的流程示意图;并且
图13示出了根据本发明公开的金属化技术制造的光伏模块的横截面。
具体实施方式
以下具体实施方式本质上只是例证性的,并非意图限制所述主题的实施例或此类实施例的应用和用途。如本文所用,词语“示例性”意指“用作例子、实例或举例说明”。本文描述为示例性的任何实施未必理解为相比其它实施为优选的或有利的。此外,并不意图受前述技术领域、背景技术、发明内容或以下具体实施方式中提出的任何明示或暗示的理论的约束。
本说明书包括对“一个实施例”或“实施例”的提及。短语“在一个实施例中”或“在实施例中”的出现不一定是指同一实施例。特定的特征、结构或特性可以任何与本公开一致的合适方式加以组合。
术语。以下段落提供存在于本公开(包括所附权利要求书)中的术语的定义和/或背景:
“包括”。该术语是开放式的。如在所附权利要求书中所用,该术语并不排除另外的结构或步骤。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的