[发明专利]发光器件有效
申请号: | 201480044562.4 | 申请日: | 2014-08-01 |
公开(公告)号: | CN105453280B | 公开(公告)日: | 2018-12-14 |
发明(设计)人: | 丁焕熙 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L33/36 | 分类号: | H01L33/36;H01L33/22 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 张浴月;李玉锁 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 | ||
本发明涉及一种发光器件。根据本发明的实施例的发光器件包括:发光结构,包括:第一导电半导体层;有源层,在第一导电半导体层下;以及第二导电半导体层,在有源层下;沟道层,围绕发光结构的下部布置;第一电极,布置在沟道层上;第二电极,布置在发光结构下;以及连接布线,用于电连接第一电极和第一导电半导体层。
技术领域
实施例涉及一种发光器件、发光器件封装以及照明单元。
背景技术
发光二极管(LED)已经广泛用作发光器件之一。LED通过使用化合物半导体的特性将电信号转换为光形式,诸如红外光、紫外光和可见光。
随着发光器件的光效率提高,LED已经用于各种领域,诸如显示设备和照明应用。
发明内容
【技术问题】
实施例提供一种发光器件、发光器件封装以及照明单元,能够通过扩大发光面积提高光效率。
【技术方案】
根据实施例的发光器件包括:发光结构,包括:第一导电半导体层;有源层,在第一导电半导体层下;以及第二导电半导体层,在有源层下;沟道层,围绕发光结构的下部;第一电极,在沟道层上;第二电极,在发光结构下;以及连接布线,用于电连接第一电极和第一导电半导体层。
【有益效果】
根据实施例的发光器件、发光器件封装以及照明单元能够通过扩大发光面积提高光效率。
附图说明
图1为示出根据实施例的发光器件的视图;
图2为图1所示的发光器件的平面图。
图3至图6为示出根据实施例的发光器件的制造方法的视图。
图7至图10为示出根据实施例的发光器件的其它示例的视图。
图11为示出根据实施例的发光器件封装的视图。
图12为示出根据实施例的显示装置的视图。
图13为示出根据实施例的显示装置的另一个示例的视图。
图14为示出根据实施例的照明设备的视图。
具体实施方式
在实施例的说明中,应当理解,当一个层(或膜)、区域、图案或结构称为在另一个衬底、另一个层(或膜)、另一个区域、另一个焊盘或另一个图案“上”或“下”时,其可“直接”或“间接”在另一个衬底、层(或膜)、区域、焊盘或图案上方或下方,或者也可以存在一个或更多介于中间的层。已参考附图描述了层的这种位置。
在下文中,将参考附图具体描述根据实施例的发光器件、发光器件封装、照明单元以及发光器件的制造方法。
图1为示出根据实施例的发光器件的视图,以及图2为图1所示的发光器件的平面图。
如图1和图2所示,根据实施例的发光器件可以包括发光结构10、沟道层30、第一电极81、第二电极82以及连接布线85。
发光结构10可以包括第一导电半导体层11、有源层12以及第二导电半导体层13。有源层12可以布置在第一导电半导体层11与第二导电半导体层13之间。有源层12可以布置在第一导电半导体层11下且第二导电半导体层13可以布置在有源层12下。
例如,第一导电半导体层11可以制备为掺杂有用作第一导电掺杂剂的n型掺杂剂的n型半导体层,且第二导电半导体层13可以制备为掺杂有用作第二导电掺杂剂的p型掺杂剂的p型半导体层。另外,第一导电半导体层11可以制备为p型半导体层,而第二导电半导体层13可以制备为n型半导体层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG伊诺特有限公司,未经LG伊诺特有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201480044562.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:层叠型热电转换元件
- 下一篇:X射线图像传感器用基板