[发明专利]发光器件

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

发光结构，包括：第一导电半导体层；有源层，在所述第一导电半导体层下；以及第二导电半导体层，在所述有源层下；

沟道层，围绕所述发光结构的下部；

第一电极，在所述沟道层上；

第二电极，在所述发光结构下；以及

连接布线，用于电连接所述第一电极和所述第一导电半导体层，

其中所述第一电极在竖直方向上不与所述发光结构重叠，并且

其中所述沟道层的顶面被排列为高于所述有源层的顶面。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一电极围绕所述发光结构的所述下部布置。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述连接布线布置在所述第一导电半导体层上。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述连接布线与所述第一导电半导体层的横向侧部接触。

5.根据权利要求1所述的发光器件，还包括：接合焊盘，电连接至所述第一电极。

6.根据权利要求5所述的发光器件，其中所述接合焊盘布置在所述第一导电半导体层上。

7.根据权利要求5所述的发光器件，其中所述接合焊盘布置在所述沟道层上。

8.根据权利要求5所述的发光器件，其中所述接合焊盘围绕所述发光结构的所述下部布置。

9.根据权利要求1至8的任一项所述的发光器件，其中设置至少两个连接布线。

10.根据权利要求1至8的任一项所述的发光器件，其中所述第二电极包括欧姆接触层、反射层以及金属层的至少之一。

11.根据权利要求1至8的任一项所述的发光器件，其中所述连接布线包括Cr、V、W、Ti、Zn、Ni、Pt、Cu、Al、Au或Mo的至少之一。

12.一种发光器件，包括：

发光结构，包括：第一导电半导体层；有源层，在所述第一导电半导体层下；以及第二导电半导体层，在所述有源层下；

沟道层，围绕所述发光结构的下部；

第一电极，在所述沟道层上；

第二电极，在所述发光结构下；以及

连接布线，用于电连接所述第一电极和所述第一导电半导体层，

其中所述第一电极具有的宽度小于所述沟道层的宽度，

所述第一电极布置在所述发光结构的横向侧部，并且

其中所述沟道层的顶面被排列为高于所述有源层的顶面。

13.根据权利要求12所述的发光器件，其中所述第一电极具有的所述宽度处于5μm至30μm的范围。

14.根据权利要求12或权利要求13所述的发光器件，其中所述沟道层具有的宽度处于5μm至70μm的范围。

15.一种发光器件，包括：

发光结构，包括：第一导电半导体层；有源层，在所述第一导电半导体层下；以及第二导电半导体层，在所述有源层下；

沟道层，围绕所述发光结构的下部；

第一电极，在所述沟道层上；

第二电极，在所述发光结构下；

连接布线，用于电连接所述第一电极和所述第一导电半导体层；以及

接合焊盘，电连接至所述第一电极，

其中所述接合焊盘布置在所述连接布线的上部，

其中所述发光结构在其顶面上形成有光提取图案，

与所述光提取图案对应的凹凸图案形成在所述接合焊盘下的所述连接布线的底面处，并且

其中所述沟道层的顶面被排列为高于所述有源层的顶面。