[发明专利]于外延生长之前预清洁基板表面的方法和设备有效
| 申请号： | 201480043644.7 | 申请日： | 2014-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN105453233B | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | 克里斯托弗·S·奥尔森;特里萨·克莱默·瓜里尼;杰弗里·托宾;劳拉·哈夫雷查克;彼得·斯通;洛志威;乔普拉·索拉布 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基板表面 移除 污染物 等离子体工艺 清洁基板表面 远程等离子体 方法和设备 原生氧化物 干式蚀刻 外延生长 预清洁 | ||
1.一种清洁基板的表面的方法，包括：
从所述基板的所述表面移除含碳污染物的第一部分，其中通过含氢等离子体工艺移除所述含碳污染物的所述第一部分；接着
通过氧化工艺移除所述含碳污染物的第二部分；接着
通过使用含氟等离子体蚀刻工艺来清洁所述基板的所述表面，其中在所述含氟等离子体蚀刻工艺过程中使用至少一种处理气体；并接着
在所述基板的所述表面上形成外延层。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述含氢等离子体工艺利用感应耦合等离子体。
3.如权利要求2所述的方法，其中在20mTorr的压力下执行所述含氢等离子体工艺。
4.如权利要求2所述的方法，其中在700mTorr的压力下执行所述含氢等离子体工艺。
5.如权利要求2所述的方法，其中所述感应耦合等离子体是远程产生的。
6.如权利要求1所述的方法，其中所述至少一种处理气体是NF3。
7.一种在基板的表面上形成外延层的方法，包括：
从所述基板的所述表面移除含碳污染物的第一部分，其中通过含氢等离子体工艺移除所述含碳污染物的所述第一部分；接着
通过氧化工艺移除所述含碳污染物的第二部分；接着
通过使用含氟等离子体蚀刻工艺来清洁所述基板的所述表面；并接着
在所述基板的所述表面上形成外延层。
8.如权利要求7所述的方法，其中所述含氢等离子体工艺利用感应耦合等离子体。
9.如权利要求8所述的方法，其中在20mTorr的压力下执行所述含氢等离子体工艺。
10.如权利要求7所述的方法，其中所述含氢等离子体工艺利用具有含氢气体的电容耦合等离子体。
11.如权利要求7所述的方法，其中所述含氢等离子体工艺利用具有含氢气体的由微波所激发的等离子体。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
