[发明专利]切分发光器件的晶片

说明书

一些实施例包括具有布置在n型区和p型区之间的发光层的III氮化物发光器件。玻璃层连接到III氮化物发光器件。波长转换层布置在III氮化物发光器件和玻璃层之间。玻璃层比III氮化物发光器件更窄。

技术领域

本发明涉及切分发光器件的晶片。

背景技术

包括发光二极管（LED）、谐振腔发光二极管（RCLED）、垂直腔激光二极管（VCSEL）和边缘发射激光器的半导体发光器件是当前可用的最高效光源。在能够跨可见光谱操作的高亮度发光器件的制造中当前感兴趣的材料系统包括III-V族半导体，特别是镓、铝、铟和氮的二元、三元和四元合金（还被称为III氮化物材料）。一般，通过经由金属有机化学气相沉积（MOCVD）、分子束外延（MBE）或其他外延技术在蓝宝石、碳化硅、III氮化物或其他适当衬底上外延生长不同构成和掺杂浓度的半导体层的堆叠来制造III氮化物发光器件。该堆叠通常包括在衬底之上形成的掺杂有例如Si的一个或多个n型层、在一个或多个n型层之上形成的有源区中的一个或多个发光层、以及在有源区之上形成的掺杂有例如Mg的一个或多个p型层。在n和p型区上形成电气接触件。

发明内容

本发明的目的是提供切分包括发光器件、波长转换层和透明层的晶片的方法。

一些实施例包括切分发光器件的晶片的方法。该晶片包括玻璃层、包含通过电介质分离的多个发光器件的发光器件层、以及布置在玻璃层和发光器件层之间的波长转换层。该方法包括利用金属结合的金刚石粗砂刀片在电介质区中锯切晶片。

一些实施例包括切分发光器件的晶片的方法。该晶片包括透明层、包含通过电介质分离的多个发光器件的发光器件层、以及布置在透明层和发光器件层之间的波长转换层。该方法包括在第一切割过程中切割晶片的厚度的第一部分和在第二切割过程中切割晶片的其余厚度。

一些实施例包括具有布置在n型区和p型区之间的发光层的III氮化物发光器件。玻璃层连接到III氮化物发光器件。波长转换层布置在III氮化物发光器件和玻璃层之间。在平行于III氮化物发光器件的顶表面的平面中，玻璃层具有比III氮化物发光器件更小的横向范围。

附图说明

图1图示了包括LED、波长转换层和透明层的晶片。

图2图示了LED的示例。

图3图示了在切分框架上布置的图1的晶片。

图4A图示了利用宽刀片部分锯切晶片。图4B图示了利用窄刀片锯穿图4A中的晶片的其余厚度。

图5A图示了利用宽刀片部分锯切晶片。图5B图示了利用剥离激光切穿图5A中的晶片的其余厚度。

图6A图示了利用窄刀片部分锯切晶片。图6B图示了将晶片倒装过来并且利用宽刀片锯穿图6A中的晶片的其余厚度。

图7A图示了利用剥离激光部分切割晶片。图7B图示了将晶片倒装过来并且利用宽刀片锯穿图7A中的晶片的其余厚度。

图8A图示了利用剥离激光部分切割晶片。图8B图示了将晶片倒装过来并且对图8A中的晶片的其余厚度进行刮划并使其断裂。

图9A图示了利用窄刀片部分锯切晶片。图9B图示了将晶片倒装过来并且对图9A中的晶片的其余厚度进行刮划并使其断裂。

具体实施方式

尽管在下面的示例中，半导体发光器件是发射蓝色或UV光的III氮化物LED，但是可以使用除LED之外的半导体发光器件，诸如激光二极管和由其他材料系统（诸如其它III-V材料、III磷化物、III砷化物、II-VI材料、ZnO或基于硅的材料）制成的半导体发光器件。