[发明专利]芯片电阻器的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种将片状的大张基板沿横竖的分割槽分割而得到的芯片电阻器的制造方法。

背景技术

芯片电阻器主要由俯视呈矩形的绝缘基板、以规定间隔设置在绝缘基板上的一对电极部、将成对的电极部彼此桥接的电阻以及包覆电阻的绝缘性的保护涂层等构成，在电阻上形成有电阻值调节用的休整槽。电极部由正面电极、背面电极以及将两个电极桥接的端面电极构成，在绝缘基板的正面侧利用电阻将一对正面电极桥接。

通常，在制造这种芯片电阻器的情况下，预先在片状的大张基板(集合基板)的一面或两面上形成横竖延伸的多个一级分割槽及二级分割槽，当在该大张基板的一面一并形成了电极部、电阻及保护涂层等后，使大张基板沿一级分割槽断裂(一级分割)成长条状基板，在该长条状基板上形成端面电极后沿二级分割槽使该长条状基板断裂(二级分割)，从而完成了形成为单片的许多个芯片电阻器。届时，当大张基板或长条状基板不能沿分割槽规整地断裂时，成为芯片电阻器的端面的分割面的形状容易变歪，因此制造成品率下降。

为了解决上述问题，以往提出了如下这种技术：当在大张基板的正反两面分别形成了一级分割槽及二级分割槽后，将形成在正面侧的一级分割槽的槽深度设定为比形成在背面侧的一级分割槽的槽深度大(深)，并且将形成在正面侧的二级分割槽的槽深度设定为比形成在背面侧的二级分割槽的槽深度小(浅)(例如参照专利文献1)。采用该现有技术，在进行一级分割时，略深地形成在正面侧的一级分割槽朝向开放的方向断裂，但形成在该正面侧的二级分割槽略浅，因此能够抑制在一级分割工序中担心的沿二级分割槽去的不期望的裂纹。另外，在进行随后的二级分割时，当正面侧的二级分割槽朝向开放的方向断裂时，容易朝向略深地形成在背面侧的二级分割槽破裂，因此也不易发生芯片电阻器的端面形状不良。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2004–259767号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

另外，在这种芯片电阻器的制造方法中，使大张基板沿一级分割槽断裂成长条状的一级分割需要利用比二级分割大的力来进行分割，该二级分割使该长条状基板沿二级分割槽断裂成单片，因此在进行一级分割时，容易在一级分割槽与二级分割槽的交叉部分产生碎片(屑片)。即，在使大张基板沿一级分割槽断裂成长条状时，由于以横截该一级分割槽的方式空开恒定间隔地形成多条二级分割槽，因此上述一级分割槽与二级分割槽的交叉的交错部分比其它区域易坏，该交错部分可能在一级分割时成为碎片。

另外，在专利文献1公开的现有技术中，通过使一级分割槽及二级分割槽的槽深度在正反两面相对不同，来减少在一级分割及二级分割时发生的端面形状不良，但由于只有每个一级分割槽及二级分割槽以均匀的深度形成，因此一级分割槽与二级分割槽的交错部分比其它区域易坏，不能抑制在一级分割时产生的交错部分的碎片。

本发明是鉴于上述那样的现有技术的实际情况而做成的，其目的在于提供一种能够抑制在一级分割槽与二级分割槽的交错部分产生的碎片的芯片电阻器的制造方法。

解决技术问题所采用的技术方案

为了达到上述的目的，由本发明获得的芯片电阻器的制造方法包括：在片状的大张基板上形成横竖延伸的多个一级分割槽及二级分割槽的工序；在上述大张基板的一面以横跨上述一级分割槽的方式形成多对电极的工序；形成与上述多对电极连接的多个电阻的工序；以包覆上述多个电阻的方式形成保护层的工序；将上述大张基板沿上述一级分割槽分割而形成多个长条状基板的工序；在上述长条状基板的分割面上形成端面电极的工序；以及将上述长条状基板沿上述二级分割槽分割而形成各个元件的工序，该芯片电阻器的制造方法将上述一级分割槽中的包含与上述二级分割槽的交叉部分在内未形成上述电极的区域的槽深度，设定为比形成有上述电极的区域的槽深度大，将上述大张基板沿上述一级分割槽分割而形成上述长条状基板。

在利用上述这样的工序制成的芯片电阻器中，当在大张基板的一面形成了电极及电阻等后，以使形成有该电极及电阻等的面侧开放的方式将大张基板沿一级分割槽分割时，首先从槽深度小且具有强度的形成有电极的区域开始裂开，随后槽深度大且易坏的交错部分被分割，因此能不对强度低的交错部分施加大负荷地进行一级分割，不会在交错部分产生碎片(屑片)。

在上述的芯片电阻器的制造方法中，理想的是，在将未形成有电极的区域的槽深度设定为D1，将形成有电极的区域的槽深度设定为D2时，将上述槽深度设定为D1≥(D2+20μm)。