[发明专利]芯片电阻器的制造方法有效
| 申请号： | 201480040282.6 | 申请日： | 2014-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN105393316B | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | 竹上裕也;上兼藤太郎;松本健太郎 | 申请（专利权）人： | 兴亚株式会社 |
| 主分类号： | H01C17/06 | 分类号： | H01C17/06 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 曹振华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片 电阻器 制造 方法 | ||
1.一种芯片电阻器的制造方法，其特征在于，包括：
在片状的大张基板上形成横竖延伸的多个一级分割槽及二级分割槽的工序；
在所述大张基板的一面以横跨所述一级分割槽的方式形成多对电极的工序；
形成与所述多对电极连接的多个电阻的工序；
以包覆所述多个电阻的方式形成保护层的工序；
将所述大张基板沿所述一级分割槽分割而形成多个长条状基板的工序；
在所述长条状基板的分割面上形成端面电极的工序；以及
将所述长条状基板沿所述二级分割槽分割而形成各个元件的工序，
将所述一级分割槽中的包含与所述二级分割槽的交叉部分在内未形成所述多对电极的区域的槽深度，设定为比形成有所述多对电极的区域的槽深度大，将所述大张基板沿所述一级分割槽分割而形成所述长条状基板。
2.如权利要求1所述的芯片电阻器的制造方法，其特征在于，
在将未形成有所述多对电极的区域的槽深度设定为D1，将形成有所述多对电极的区域的槽深度设定为D2时，将所述槽深度设定为D1≥(D2+20μm)。
3.如权利要求1所述的芯片电阻器的制造方法，其特征在于，
当在所述大张基板上以30μm～60μm的膜厚形成了所述多对电极后，以横截该电极的方式照射激光而形成所述一级分割槽。
4.如权利要求2所述的芯片电阻器的制造方法，其特征在于，
当在所述大张基板上以30μm～60μm的膜厚形成了所述多对电极后，以横截该电极的方式照射激光而形成所述一级分割槽。
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