[发明专利]存储器拼片存取和选择模式

说明书

技术领域

本发明的实施例总体上涉及集成电路且更具体来说涉及例如存储器装置的集成电路的存储器拼片存取和选择模式。

背景技术

存在许多不同类型的存储器，包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)、电阻性存储器和快闪存储器等等。电阻性存储器的类型包含相变存储器、可编程导体存储器和电阻性随机存取存储器(RRAM)等等。存储器装置用作需要高存储器密度、高可靠性和无电力时的数据保持能力的多种多样的电子应用的非易失性存储器。非易失性存储器可以用于例如个人计算机、便携式存储棒、固态驱动器(SSD)、数码相机、蜂窝电话、便携式音乐播放器例如MP3播放器、影片播放器和其它电子装置。不同电阻性存储器装置可包含组织成交叉点架构的单元阵列。在此类架构中，存储器单元可包含单元堆叠，其包括存储组件，例如相变元件，所述存储组件与选择装置串联在一对导电线之间(例如存取线与数据/感测线之间)，所述选择装置例如是切换元件，例如双向阈值切换器(OTS)或二极管。存储器单元位于例如字线和位线的两条导电线的交叉点处，并且可以经由对其施加适当电压而被“选择”。

附图说明

说明书的结尾部分具体指出并且明确要求所要求的主题。然而，关于组织和/或操作方法以及其对象、特征和/或优点两方面，可以通过在与随附图式一起阅读时参考以下详细说明来被最佳地了解，在这些随附图式中：

图1是描绘存储器拼片的实例存储器阵列的一部分的透视图的图示。

图2是描绘用于在实例存储器阵列的边缘将字线和位线连接到其驱动器的套接区域的图示。

图3是描绘实例存储器装置的框图的图示。

图4是描绘用于选择存储器阵列的存储器位置的实例过程的图示。

图5是描绘用于选择存储器阵列的存储器位置的另一实例过程的图示。

图6是描绘用于根据存取模式选择存储器阵列的存储器位置的过程的图示。

图7是描绘用于选择和存取存储器拼片的存储器位置的实例存取模式的图示。

图8是描绘用于将地址从一个地址空间转换到另一地址空间的拼片映射器或定序器800的图示。

以下详细描述中参考附图，附图形成详细描述的一部分，其中通篇中相同数字可以标明相同部分以指示对应或类似元件。应了解，为图示简单和/或清晰起见，图中说明的元件未必按比例绘制。举例来说，为清楚起见，可相对于其它元件夸大一些元件的尺寸。此外，应理解可以利用其它实施例。此外，在不脱离所要求的主题的范围的情况下，可以进行结构性和/或逻辑改变。还应当指出，方向和/或参考(例如上、下、顶部、底部等)可以用于便于论述图式，并且并不希望限制所要求的主题的应用。因此，以下详细描述并不应理解为限制所要求的主题和/或等效物的范围。

具体实施方式

在以下详细描述中，阐述众多具体细节以提供对所要求的主题的透彻理解。然而，所属领域的技术人员将理解，可在没有这些具体细节的情况下实践所要求的主题。在其它情况下，未详细描述所属领域的一般技术人员已知的方法、设备和/或系统以便不会混淆所要求的主题。

概述

存储器装置可以利用包括交叉点阵列的存储器拼片来高效地存储和检索数据。这些存储器装置可包含多个存储器拼片，其中一个包括多个存储组件(例如数千个存储组件)的存储器拼片阵列布置成阵列结构。每一存储器拼片可以包含交叉点阵列并且由一组地址限定，其中一个地址唯一地识别存储器拼片的一个存储组件。通过施加电压到对应于各个存储组件的数字线导体和存取线导体，可以从存储器拼片中选择存储器拼片的存储组件。接着可以通过与存储组件相关联的存取电路来存取所选的存储组件。