[发明专利]存储器拼片存取和选择模式

权利要求书

1.一种存储器装置，其包括：

多个存储器拼片，其包含第一存储器拼片，所述多个存储器拼片中的每一存储器拼片包括多个数字线导体和多个存取线导体的交叉点处的存储组件阵列；以及

选择电路，其包含线路驱动器，所述线路驱动器经配置以基于到所述多个存储器拼片中的一个存储器拼片的存储组件的对应数字线导体和对应存取线导体，选择所述存储组件，

其中所述选择电路经配置以先用连续方式选择所述第一存储器拼片的两个或更多个存储组件，然后选择所述多个存储器拼片中的不同存储器拼片的所述存储组件，

其中所述第一存储器拼片的所述两个或更多个所选择的存储组件具有不同对应数字线导体和不同对应存取线导体。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第一存储器拼片的所述两个或更多个所选择的存储组件在所述第一存储器拼片的所述存储组件阵列中彼此不邻近。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第一存储器拼片的所述两个或更多个所选择的存储组件彼此分隔开一段距离，使得存取存储到所述两个或更多个存储组件中的一个的数据不会破坏对存储到所述两个或更多个存储组件中的其它存储组件的数据的成功存取。

4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中所述选择电路经配置以通过响应于连续时钟脉冲选择所述存储组件而用所述连续方式选择所述两个或更多个存储组件。

5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述选择电路进一步经配置以至少部分地基于所述第一存储器拼片的所述存储组件的干扰效应恢复时间，选择所述第一存储器拼片的所述两个或更多个存储组件。

6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第一存储器拼片的所述两个或更多个所选择的存储组件包含第一存储组件、第二存储组件和第三存储组件，所述第一存储组件与所述第二存储组件分隔开一段距离，并且所述第二存储组件与所述第三存储组件分隔开所述距离。

7.根据权利要求1所述的存储器装置，其进一步包括存取电路，所述存取电路经配置以存取所述第一存储器拼片的所述存储组件，其中所述选择电路进一步经配置以选择所述第一存储器拼片的所述两个或更多个存储组件，使得所述第一存储器拼片的连续存取的存储位置在所述第一存储器拼片的所述存储组件阵列中彼此沿对角线，所述两个或更多个存储组件可由不同存取电路存取。

8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存储组件包括具有至少两种电阻状态的电阻性存储器元件。

9.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述多个存储器拼片中的每一存储器拼片可基于编程到所述选择电路中的地址来个别寻址。

10.一种存储器装置，其包括：

控制器，其经配置以：

切换多个切换装置以根据与多个存储器拼片的存储组件的至少数字线导体和存取线导体相关联的存储器地址来选择所述存储组件，所述多个存储器拼片中的每一存储器拼片包括多个数字线导体和多个存取线导体的交叉点处的唯一地可寻址的存储组件的阵列，以及

至少部分地基于先前选择的存储器地址来确定要用所述多个切换装置选择的下一个存储器地址；以及

存储器，其经配置以存储所述下一个存储器地址，

其中所述控制器经配置以先用连续方式选择所述多个存储器拼片中的一个存储器拼片的两个或更多个存储组件，然后选择所述多个存储器拼片中的不同存储器拼片的所述存储组件，

其中所述存储器拼片的所述两个以上所选择的存储组件包含第一存储组件、第二存储组件和第三存储组件，所述第一、第二和第三存储组件具有不同对应数字线导体和不同对应存取线导体。

11.根据权利要求10所述的存储器装置，其中所述控制器进一步经配置以使用拼片映射器确定所述下一个存储器地址，所述拼片映射器经配置以根据拼片存取模式将输入地址映射成输出地址。

12.根据权利要求10所述的存储器装置，其中所述第一、第二和第三存储组件在所述存储器拼片的所述存储组件阵列中彼此不邻近。

13.根据权利要求10所述的存储器装置，其中所述第一存储组件与所述第二存储组件分隔开一段距离，并且所述第二存储组件与所述第三存储组件分隔开所述距离。