[发明专利]由金属糊剂形成的太阳能电池接触结构有效
申请号: | 201480033189.2 | 申请日: | 2014-09-24 |
公开(公告)号: | CN105283966B | 公开(公告)日: | 2019-01-18 |
发明(设计)人: | 理查德·汉密尔顿·休厄尔;迈克尔·卡德兹诺维克 | 申请(专利权)人: | 太阳能公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 顾丽波;李荣胜 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属 形成 太阳能电池 接触 结构 | ||
本发明描述了由金属糊剂形成的太阳能电池接触结构以及由金属糊剂形成太阳能电池接触结构的方法。在第一例子中,太阳能电池包括基板。半导体区域设置在所述基板中或所述基板上方。接触结构设置在所述半导体区域上,并且包括与所述半导体区域接触的导电层。所述导电层包含其中分散有铝/硅(Al/Si)颗粒和惰性填料的基质粘结剂。在第二例子中,太阳能电池包括基板。半导体区域设置在所述基板中或所述基板上方。接触结构设置在所述半导体区域上,并且包括与所述半导体区域接触的导电层。所述导电层包含用于增大所述导电层的疏水特性的试剂。
技术领域
本发明的实施例涉及可再生能源领域,并且具体地讲,涉及由金属糊剂形成的太阳能电池接触结构以及由金属糊剂形成太阳能电池接触结构的方法。
背景技术
光伏电池(常被称为太阳能电池)是熟知的用于将太阳辐射直接转化为电能的装置。一般来讲,使用半导体加工技术将太阳能电池制造在半导体晶片上或基板上以形成邻近基板表面的p-n结。照射在基板表面上并进入基板内的太阳辐射在基板主体中形成电子和空穴对。电子和空穴对迁移至基板中的p掺杂区域和n掺杂区域,从而在掺杂区域之间产生电压差。将掺杂区域连接至太阳能电池上的导电区域,以将电流从电池引导至与其耦接的外部电路。
效率是太阳能电池的重要特性,因其直接与太阳能电池发电的能力有关。同样,制备太阳能电池的效率直接与此类太阳能电池的成本效益有关。因此,提高太阳能电池效率的技术或提高太阳能电池制造效率的技术是普遍所需的。本发明的一些实施例可通过提供制造太阳能电池结构的新工艺而提高太阳能电池的制造效率。本发明的一些实施例可通过提供新型太阳能电池结构而提高太阳能电池的效率。
附图说明
图1A示出根据本发明实施例的太阳能电池的一部分的横截面图,该太阳能电池具有在形成于基板上方的发射极区域上形成的接触结构。
图1B示出根据本发明实施例的太阳能电池的一部分的横截面图,该太阳能电池具有在形成于基板中的发射极区域上形成的接触结构。
图2A至图2C示出根据本发明实施例的制造具有接触结构的太阳能电池的方法中的各种处理操作的横截面图。
图3为根据本发明实施例的示出制造太阳能电池的方法中的操作的流程图。
图4为根据本发明实施例的示出制造太阳能电池的方法中的操作的流程图。
具体实施方式
以下具体实施方式本质上只是例证性的,并非意图限制所述主题的实施例或此类实施例的应用和用途。如本文所用,词语“示例性”意指“作为例子、实例或举例说明”。本文作为示例而描述的任何实施方式并不一定要被理解为优于或胜过其他实施方式。此外,并不意图受前述技术领域、背景技术、发明内容或以下具体实施方式中提出的任何明示或暗示的理论的约束。
本说明书包括对“一个实施例”或“实施例”的提及。短语“在一个实施例中”或“在实施例中”的出现不一定是指同一实施例。特定的特征、结构或特性可以任何与本发明一致的合适方式加以组合。
本文描述了由金属糊剂形成的太阳能电池接触结构和由金属糊剂形成太阳能电池接触结构的方法。在下面的描述中,给出了许多具体细节,诸如具体的工艺流程操作,以提供对本发明的实施例的透彻理解。对本领域的技术人员将显而易见的是可在没有这些具体细节的情况下实施本发明的实施例。在其他情况下,并未详细描述熟知的制造技术,如平版印刷和图案化技术,以避免不必要地使本发明的实施例难以理解。此外,应当理解,附图中示出的多种实施例是示例性的展示且未必按比例绘制。
本文公开了具有接触结构的太阳能电池。在一个实施例中,太阳能电池包括基板。半导体区域设置在基板中或基板上方。接触结构设置在半导体区域上,并且包括与半导体区域接触的导电层。该导电层包含其中分散有铝/硅(Al/Si)颗粒和惰性填料的基质粘结剂。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的