[发明专利]用于扩散桥接单元库的方法及设备

权利要求书

1.一种包括集成电路的设备，所述集成电路包括：

供应轨；

接地轨；及

第一单元，所述第一单元具有左边缘及右边缘，所述第一单元包括：

p掺杂扩散区，其包含在所述第一单元中且从所述左边缘到所述右边缘是连续的，所述p掺杂扩散区电连接到所述供应轨；

第一栅极，其安置在所述p掺杂扩散区上方且电连接到所述供应轨；

n掺杂扩散区，其包含在所述第一单元中且从所述左边缘到所述右边缘是连续的，所述n掺杂扩散区电连接到所述接地轨；

第二栅极，其安置在所述n掺杂扩散区上方且电连接到所述接地轨；

左浮动栅极，其安置在所述p掺杂及n掺杂扩散区上且位于相对于所述第一栅极和所述第二栅极的左侧；及

右浮动栅极，其安置在所述p掺杂及n掺杂扩散区上且位于相对于所述第一栅极和所述第二栅极的右侧。

2.根据权利要求1所述的设备，所述集成电路进一步包括：

第二单元，所述第二单元具有左边缘，所述第二单元包括：

p掺杂扩散区；

n掺杂扩散区；

p掺杂桥接扩散区，其将所述第一和第二单元的所述p掺杂扩散区连接在一起；及

n掺杂桥接扩散区，其将所述第一和第二单元的所述n掺杂扩散区连接在一起。

3.根据权利要求2所述的设备，其中所述p掺杂桥接扩散区及所述n掺杂桥接扩散区各自安置在所述右浮动栅极下方。

4.根据权利要求2所述的设备，其中所述p掺杂桥接扩散区及所述n掺杂桥接扩散区各自安置在所述右浮动栅极上方。

5.根据权利要求2所述的设备，其中所述p掺杂桥接扩散区及所述n掺杂桥接扩散区各自安置在所述左浮动栅极下方。

6.根据权利要求2所述的设备，其中所述p掺杂桥接扩散区及所述n掺杂桥接扩散区各自安置在所述左浮动栅极上方。

7.根据权利要求2所述的设备，所述第二单元包括安置在所述第二单元的所述p掺杂扩散区及所述n掺杂扩散区上且接近所述第二单元的所述左边缘的左浮动栅极。

8.根据权利要求7所述的设备，所述第二单元具有右边缘，其中所述第二单元的所述p掺杂扩散区从所述第二单元的所述左边缘到所述第二单元的所述右边缘是连续的，且其中所述第二单元的所述n掺杂扩散区从所述第二单元的所述左边缘到所述第二单元的所述右边缘是连续的。

9.根据权利要求1所述的设备，其中所述设备选自由以下各者组成的群组：电话、平板计算机、基站及计算机系统。

10.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一栅极、所述第二栅极、所述左浮动栅极和所述右浮动栅极是多晶硅栅极。

11.一种将集成电路中的单元桥接在一起的方法，所述方法包括：

将标记层添加到单元的每一边缘；

对于触摸两个扩散边缘的每一标记形状，使由所述每一标记形状触摸的所述两个扩散边缘的最短扩散边缘生长，其中所述最短扩散边缘生长成具有所述每一标记形状的宽度；

将布尔型“与”应用于生长的扩散边缘及标记形状以界定新扩散区；

使每一新扩散区生长成具有所述集成电路的间距；及

使每一浮动栅极邻接所生长的新扩散区而生长。

12.根据权利要求11所述的方法，其中使每一浮动栅极邻接所生长的新扩散区而生长包含在所述生长的新扩散区下方使所述每一浮动栅极生长。

13.根据权利要求11所述的方法，其中所述间距是多晶硅间距。