[发明专利]借助放大结构上的选择性沉积和结合的测定增强在审
申请号: | 201480028698.6 | 申请日: | 2014-03-15 |
公开(公告)号: | CN105209884A | 公开(公告)日: | 2015-12-30 |
发明(设计)人: | S·Y·周 | 申请(专利权)人: | 普林斯顿大学理事会 |
主分类号: | G01N21/63 | 分类号: | G01N21/63;G01N21/27 |
代理公司: | 北京坤瑞律师事务所 11494 | 代理人: | 罗天乐 |
地址: | 美国新*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 借助 放大 结构 选择性 沉积 结合 测定 增强 | ||
关于得到联邦政府资助的研究的声明
本发明是在美国政府的支持下由(美国)国防部高级研究计划局(DARPA)授予的基金号FA9550-08-1-0222资助而做出的。美国政府对本发明具有某些权利。
交叉引用
本申请是2013年3月15日提交的美国申请系列号13/838,600(NSNR-003)的部分继续申请,所述申请要求2012年4月10日提交的美国临时申请系列号61/622,226的权益,并且是2013年6月13日提交的美国专利申请系列号13/699,270的部分继续申请,所述申请是2011年5月20日提交的US2011/037455的§371申请案,并且要求2010年5月21日提交的美国临时申请系列号61/347,178的权益;
本申请也是2013年6月13日提交的美国申请系列号13/699,270(NSNR-001)的部分继续申请,所述申请是2011年5月20日提交的国际申请系列号US2011/037455的§371申请案,所述申请要求2010年5月21日提交的美国临时专利申请系列号61/347,178的权益;并且
本申请还要求以下申请的权益:2013年3月15日提交的临时申请系列号61/801,424(NSNR-004PRV)、2013年3月15日提交的临时申请系列号61/801,096(NSNR-005PRV)、2013年3月15日提交的临时申请系列号61/800,915(NSNR-006PRV)、2013年3月15日提交的临时申请系列号61/793,092(NSNR-008PRV)、2013年3月15日提交的临时申请系列号61/801,933(NSNR-009PRV)、2013年3月15日提交的临时申请系列号61/794,317(NSNR-010PRV)、2013年3月15日提交的临时申请系列号61/802,020(NSNR-011PRV)和2013年3月15日提交的临时申请系列号61/802,223(NSNR-012PRV),通过提述并入所有这些申请用于所有目的。
背景
本发明涉及与可改进感测分析物的测定的特性的方法、装置、制造方法和应用,所述特性的改善是通过在具有高感测信号放大表面和低感测信号放大表面的测定中选择性地掩蔽表面和选择性地结合而实现的。所述感测包括拉曼散射、色度、发光,所述发光包括荧光、电致发光、化学发光、和电致化学发光。所述感测特性包括感测信号强度、感测信号谱、检测限、检测动态范围、和感测的信号变化减少(误差棒更小)。本发明可在体外或体内感测中使用。
为了改进测定的感测特性,测定常常具有在固态支持物(例如,平板)的表面上的具备微/纳米结构的感测信号放大层,其中该放大层具有高放大表面的区域,其余区域为低放大区域。这样的放大层的一个实例是纳米结构等离子层,比如D2PA。
高放大区域和低放大区域之间的分析物检测灵敏度的差异可以是10倍或更大。高放大区域常常比低放大区域的灵敏度小得多。因此,如果分析物仅仅结合到高放大区域上而不结合在低放大区域中,则感测信号和相关特性将比分析物结合到高放大区域和低放大区域(或表面)两者的情况大大增强。因此,需要选择性地掩蔽低放大区域,以防止分析物结合在此区域中。
概述
以下概述并不意在包括本发明的所有特征和方面,也不意指本发明必须包括在此简述中论述的所有特征和方面。
本发明涉及与可改进感测分析物的测定的特性的方法、装置、制造方法和应用,所述特性的改善是通过在具有高感测信号放大表面和低感测信号放大表面的测定中选择性地掩蔽表面和选择性地结合而实现的。
所述感测包括拉曼散射、色度、发光,所述发光包括荧光、电致发光、化学发光、和电致化学发光。所述感测特性包括感测信号强度、感测信号谱、检测限、检测动态范围、和感测的信号变化减少(更小的误差棒)。本发明可在体外或体内感测中使用。
附图简述
本领域技术人员将会理解,如下所述的附图仅用于说明目的。所述附图并不意图以任何方式限制本文教导的范围。有些附图并未依比例给出。
图1(a)具有信号放大层D2PA的平板的俯视图。(b)在阴影沉积掩模材料之前的D2PA的横截面。(c)沿着平板表面的法向从上到下地进行掩模材料的阴影沉积;沉积的掩模材料覆盖金属盘和金属底板的顶面,但不覆盖金属结构的侧壁,不覆盖在立柱侧壁上的金属纳米点。
图2(a)在沉积掩模材料之后,掩模材料掩蔽所述金属(金)的一部分。(b)涂覆分子接头,其仅仅覆盖金属金;(c)使捕捉剂(例如抗体)仅结合分子接头。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于普林斯顿大学理事会,未经普林斯顿大学理事会许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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