[发明专利]有机薄膜的形成方法

权利要求书

1.一种有机薄膜的形成方法，其为在两个树脂基材之间形成有机半导体材料的有机薄膜的方法，其中，所述方法包括通过使用热层压法对配置有所述有机半导体材料的一个树脂基材和另一个树脂基材进行压制而将其贴合。

2.如权利要求1所述的有机薄膜的形成方法，其中，在所述热层压时，将热辊部设定为所述有机半导体材料的液晶转变温度、玻璃化转变温度或者熔点以上的温度。

3.如权利要求1所述的有机薄膜的形成方法，其中，在所述热层压时，将热辊部设定为所述有机半导体材料的液晶转变温度、玻璃化转变温度或者熔点以上的温度，在使该有机半导体材料相变后，使晶体向层压的行进方向生长。

4.一种制造方法，其为在两个树脂基材(i)和(ii)之间至少包含栅极、绝缘层、源极、漏极和包含1种以上的有机半导体材料的有机半导体层的挠性有机半导体器件的制造方法，其中，所述制造方法包括：通过使用热层压法对配置有该有机半导体材料的该树脂基材(i)和另一个该树脂基材(ii)进行压制而将其贴合，由此形成晶体向一定方向生长的有机半导体层。

5.如权利要求4所述的制造方法，其中，所述树脂基材(i)包含所述栅极、以覆盖该栅极的方式形成的所述绝缘层、和配置于该绝缘层上的所述有机半导体材料；所述树脂基材(ii)包含所述绝缘层、和形成于该绝缘层上的所述源极和所述漏极；通过使用热层压法对该树脂基材(i)和该树脂基材(ii)进行压制而将其贴合，由此形成有机半导体层。

6.如权利要求4所述的制造方法，其中，所述有机半导体材料以固体或熔融状态配置于所述绝缘层上。

7.如权利要求4所述的有机半导体器件的制造方法，其中，所述有机半导体材料通过含有有机半导体材料的溶液工艺涂布、干燥而配置于所述绝缘层上。

8.如权利要求4所述的制造方法，其中，在所述热层压时，将热辊部的温度设定为有机半导体材料的液晶转变温度、玻璃化转变温度或者熔点以上的温度。

9.如权利要求4所述的制造方法，其中，所述有机半导体材料的液晶转变温度、玻璃化转变温度或者熔点低于树脂基材(i)和(ii)的玻璃化转变温度。

10.如权利要求4至9中任一项所述的制造方法，其中，所述有机半导体材料为由下式(1)表示的化合物。

式(1)中，X₁和X₂各自独立地表示硫原子或硒原子，R₁和R₂各自独立地表示氢原子、脂肪族烃基、芳基、杂环基、烷氧基或烷氧基烷基，R₁和R₂可以相互相同或不同，n和m各自独立地表示0或1。

11.一种挠性有机半导体器件，其通过权利要求4至10中任一项所述的制造方法而得到。