[发明专利]发光装置、其制造方法及使用发光装置的装置有效
| 申请号： | 201480018999.0 | 申请日： | 2014-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN105122482B | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 卷圭一 | 申请（专利权）人： | 东芝北斗电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/56 | 分类号： | H01L33/56;H01L33/54 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 周欣;陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 透光性 透光性导电层 发光装置 绝缘体薄板 阳极电极 发光二极管 阴极电极 填充 制造 阴极电极表面 热循环特性 耐弯曲性 真空热压 热负荷 凹部 地电 夹住 亮灯 软化 | ||
1.一种发光装置，其特征在于：
在被一对分别具备透光性导电层的透光性绝缘体薄板夹住的区域、或者被具备多个透光性导电层的透光性绝缘体薄板和不具备透光性导电层的透光性绝缘体薄板夹住的区域中，
填充有一个以上的分别具备与所述各个透光性导电层个别地电连接的阴极电极和阳极电极的半导体发光元件、和透光性弹性材料，且
在所述半导体发光元件的阳极电极及阴极电极与所述透光性导电层的界面中至少部分地存在所述透光性弹性材料，在所述阳极电极及阴极电极表面上的凹部中也填充有所述透光性弹性材料。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于：所述半导体发光元件的阴极电极面及阳极电极面的弹性材料被覆率均为10％以上且90％以下。
3.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于：所述透光性弹性材料的维卡软化温度为80℃以上且160℃以下。
4.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于：所述透光性弹性材料的熔化温度为180℃以上、或者比维卡软化温度高40℃以上。
5.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于：所述透光性弹性材料的拉伸储藏弹性模量在从0℃到100℃之间为0.01GPa～10GPa。
6.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于：所述透光性弹性材料的玻璃化转变温度为－20℃以下。
7.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于：所述透光性弹性材料在维卡软化点不熔化、或维卡软化点时的所述透光性弹性材料的拉伸储藏弹性模量为0.1MPa以上。
8.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于：所述半导体发光元件的阳极电极及阴极电极具有在0.1μm以上且10μm以下的范围内的表面粗糙度Ra。
9.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于：所述透光性弹性材料为丙烯酸系弹性材料。
10.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于：所述透光性弹性材料为高分子材料的弹性体。
11.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于：所述透光性导电层为导体薄膜、包含导电性微粒的透明树脂层、或网状电极。
12.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于：所述透光性导电层为导电材料的溅射薄膜或蒸镀薄膜。
13.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于：所述透光性导电层为网状电极层。
14.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于：所述透光性导电层由多个透光性导电填料和将所述透光性导电填料在使其接触的状态下进行粘接的透光性树脂粘合剂形成。
15.根据权利要求14所述的发光装置，其特征在于：所述透光性导电层中的所述透光性导电填料达到50重量％以上且95重量％以下。
16.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于：所述半导体发光元件的阳极电极及阴极电极中的至少一方经由凸块电极与对应的透光性导电层连接。
17.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于：所述透光性导电层的片电阻为1000Ω/□以下。
18.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于：所述透光性导电层的厚度为0.1μm以上且10μm以下。
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