[发明专利]气体阻隔性膜及其制造方法

权利要求书

1.一种气体阻隔性膜，在高分子膜基材的至少一侧具有至少含有氧化锌和二氧化硅的气体阻隔层，其中，所述气体阻隔层满足以下[I]～[III]中的任一项：

[I]锌的K吸收端的X射线吸收近边结构(XANES)光谱中，(9664.0eV的光谱强度)/(9668.0eV的光谱强度)的值为0.910～1.000；

[II]锌原子浓度除以硅原子浓度所得的比例为0.1～1.5，下式所表示的结构密度指数为1.20～1.40，

结构密度指数＝(利用X射线反射率(XRR)法求出的气体阻隔层的密度)/(由利用X射线光电子能谱(XPS)法求出的组成比率计算出的理论密度)；

[III]将利用FT－IR测定所测定的位于波数900～1,100cm^-1的峰分离成波数920cm^-1的峰和1,080cm^-1的峰时，在920cm^-1具有峰的光谱的面积强度(A)与在1,080cm^-1具有峰的光谱的面积强度(B)之比(A/B)的值为1.0以上且7.0以下。

2.如权利要求1所述的气体阻隔性膜，其中，在将所述气体阻隔层中的锌的K吸收端的扩展X射线吸收精细结构(EXAFS)光谱进行傅里叶变换而得到的径向分布函数中，(0.28nm的光谱强度)/(0.155nm的光谱强度)的值为0.08～0.20。

3.如权利要求1或2所述的气体阻隔性膜，其中，所述气体阻隔层的硬度为0.8～1.8GPa。

4.如权利要求1～3中任一项所述的气体阻隔性膜，其中，针对所述气体阻隔层，利用X射线反射率法测得的密度为1～7g/cm³。

5.如权利要求1～4中任一项所述的气体阻隔性膜，其中，所述气体阻隔层含有氧化铝。

6.如权利要求1～5中任一项所述的气体阻隔性膜，其中，在所述高分子膜基材和气体阻隔层之间具有增粘涂层。

7.如权利要求5或6所述的气体阻隔性膜，其中，对于所述气体阻隔层而言，利用X射线光电子能谱法测得的锌(Zn)原子浓度为1～35atm％，硅(Si)原子浓度为5～25atm％，铝(Al)原子浓度为1～7atm％，氧(O)原子浓度为50～70atm％。

8.一种气体阻隔性膜的制造方法，是在高分子膜基材的至少一侧形成至少包含氧化锌和二氧化硅的气体阻隔层的气体阻隔性膜的制造方法，其中，使用含有氧化锌和二氧化硅、且锌原子浓度除以硅原子浓度所得的比例为1.4～8.5的靶材，在使高分子膜基材的表面温度为40～200℃后，进行溅射，由此形成气体阻隔层。

9.一种气体阻隔性膜的制造方法，是在高分子膜基材的至少一侧形成至少包含氧化锌和二氧化硅的气体阻隔层的气体阻隔性膜的制造方法，其中，使包含氧的气体的压力小于0.20Pa，进行溅射，由此形成气体阻隔层。

10.如权利要求9所述的气体阻隔性膜的制造方法，其中，溅射时的所述高分子膜基材满足以下(1)及(2)：

(1)与形成气体阻隔层的面相反的面的温度为－20℃以上且150℃以下，

(2)(形成气体阻隔层的面的温度)－(与形成气体阻隔层的面相反的面的温度)≤100(℃)。

11.如权利要求8～10中任一项所述的气体阻隔性膜的制造方法，其中，所述靶材包含铝。

12.如权利要求8～11中任一项所述的气体阻隔性膜的制造方法，其中，在具有增粘涂层的基材的增粘涂层上进行溅射。

13.如权利要求11或12所述的气体阻隔性膜的制造方法，其中，所述靶材的锌(Zn)原子浓度为3～37atm％，硅(Si)原子浓度为5～20atm％，铝(Al)原子浓度为1～7atm％，氧(O)原子浓度为50～70atm％。