[发明专利]制造有机电子装置的方法及有机电子装置有效

专利信息
申请号: 201480018607.0 申请日: 2014-03-25
公开(公告)号: CN105247696B 公开(公告)日: 2018-09-21
发明(设计)人: 汉斯·克勒曼;亚历山大·扎希多夫;比约恩·吕塞姆;卡尔·利奥 申请(专利权)人: 诺瓦尔德股份有限公司
主分类号: H01L51/00 分类号: H01L51/00;H01L51/10
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 沈同全;车文
地址: 德国德*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 制造 有机 电子 装置 方法
【说明书】:

本公开涉及一种制造有机电子装置的方法,该方法包括提供分层装置结构,该分层装置结构包括多个电极和设置成与该多个电极中的至少一个电接触的电子活性区域,所述提供分层装置结构包括以下步骤:提供有机半导电层;将结构化层施加到有机半导电层,结构化层具有第一区域和第二区域,第一区域由层材料覆盖;通过至少在第一区域中沉积有机掺杂剂材料和有机掺杂剂‑基质材料中的至少一种,将接触改进层施加到结构化层;在至少在第一区域中的接触改进层上沉积层材料;以及移除至少在第二区域中的结构化层。此外,提供一种有机电子装置。

技术领域

发明涉及制造有机电子装置的方法及有机电子装置。

背景技术

有机材料和装置的概念与高分辨率、成本有效的图案化技术的兼容性展现主要要求,以便确保其商业上的成功。特别地,有机场效应晶体管(OTFT)的降尺寸及高密度集成是克服当前性能限制且使OTFT 变成许多应用(例如,在有源矩阵显示器或有机微处理器中)的预期装置的必要条件。

关于具有至少部分地由有机材料制成且与一个或更多个电极接触的电子活性区域的有机电子装置的制造,提出了用于对有机半导体层进行结构化的各种方法,例如,阴影掩模沉积(shadow mask deposition)、激光烧蚀、喷墨印刷或纳米压印。然而,这些方法的产量能力、可达到的特征大小有所欠缺,或其与有机化合物自身的兼容性有所欠缺。另一方面,光刻是当前用作用于无机电子工业的标准图案化做法的极有力的技术。然而,除了一些有限情形(参见Balocco等人的Org. Electron.7,500(2006)、Huang等人的J.Mat.Chem.17,1043(2007)) 外,常规的光致抗蚀剂、显影剂和溶剂化合物(使用例如甲苯和碱性溶剂)不适用于有机材料。

发明内容

本发明的目标是提供用于具有改进的操作功能性的有机电子装置的技术。

根据一个方面,提供一种制造有机电子装置的方法。根据另一方面,提供一种有机电子装置。

提供一种制造有机电子装置的方法,该方法包括:提供分层装置结构,该分层装置结构包括多个电极和电子活性区域,电子活性区域被设置成与所述多个电极中的至少一个电极电接触。提供分层装置结构的步骤包括以下步骤:提供有机半导电层;将结构化层施加在有机半导电层上,该结构化层设有待被层材料覆盖的第一区域和不被层材料覆盖的第二区域;通过至少在第一区域中沉积有机掺杂剂材料和/或有机掺杂剂-基质材料,将接触改进层施加在结构化层上;在至少在第一区域中的接触改进层上沉积层材料;以及移除至少在第二区域中的结构化层,而不移除在第一区域中的结构化层。

根据另一方面,提供一种有机电子装置,该装置包括:

-分层装置结构,该分层装置结构包括多个电极以及电子活性区域,该电子活性区域被设置成与所述多个电极中的至少一个电极电接触;

-在分层结构中的有机半导电层,其包括以光刻工艺处理的第一区域;以及

-层堆叠体,其沉积在第一区域上,该层堆叠体包括被结构化的层以及接触改进层,该接触改进层设置在第一区域和被结构化的层之间且与第一区域和被结构化的层形成接触。

在移除结构化层的步骤之后,具有在其底下的接触改进层的层材料保持至少在第一区域中,因此,利用该层材料对至少第一区域,而不是第二区域提供覆盖。

通过接触改进层,可改进分层结构中在有机半导电层和制造在该有机半导电层上方的被结构化的层之间的界面处的电接触。

可在制造分层装置结构的工艺中多次使用结构化工艺。

除了接触改进层外,电子活性区域还可包括一个或更多个有机层,所述一个或更多个有机层由至少一种有机半导电材料,优选地不同于有机聚合物的有机小分子半导体制成。

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