[发明专利]制造有机电子装置的方法及有机电子装置

权利要求书

1.一种制造有机场效应晶体管的方法，包括：

-提供分层装置结构，所述分层装置结构包括多个电极和电子活性区域，所述电子活性区域被设置成与所述多个电极中的至少一个电极电接触，所述提供分层装置结构包括以下步骤：

-在衬底上通过沉积的方式提供被栅极绝缘体层覆盖的栅极电极层；

-在所述栅极绝缘体层上提供有机半导电层；

-将结构化层施加到所述有机半导电层，所述结构化层具有第一区域和第二区域，其中，为了施加所述结构化层，使用光刻工艺，使用光刻工艺包括：

-在所述有机半导电层上沉积光致抗蚀剂盖；以及

-结构化所述光致抗蚀剂盖，所述结构化包括以下步骤：照射并移除所述光致抗蚀剂盖，由此至少部分地移除在至少所述第一区域中而不是所述第二区域中的所述光致抗蚀剂盖；

-通过在所述第一区域和所述第二区域中沉积有机掺杂剂材料和有机掺杂剂-基质材料中的至少一种，将接触改进层施加到所述结构化层；

-在所述第一区域和所述第二区域中的所述接触改进层上沉积电极材料；以及

-通过剥离工艺移除至少所述第二区域中的所述结构化层，所述剥离工艺包括在单个步骤中移除所述光致抗蚀剂盖、所述接触改进层和沉积的电极材料，由此在所述第一区域中提供被结构化的电极层，该被结构化的电极层提供由电极材料制成的漏极电极和源极电极。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述沉积光致抗蚀剂盖还包括：

-在所述有机半导电层上沉积保护层；以及

-在所述保护层上沉积光致抗蚀剂层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述沉积光致抗蚀剂盖包括沉积作为单层的所述光致抗蚀剂盖。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述光致抗蚀剂盖的蚀刻还包括：提供由所述第一区域中的所述光致抗蚀剂盖的未移除残余部分制成的未闭合残余层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，通过使用基于氟的光刻来执行所述光刻工艺。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述接触改进层设有1nm至100nm的层厚度。