[发明专利]太阳能电池的导电性提升有效
申请号: | 201480015814.0 | 申请日: | 2014-03-14 |
公开(公告)号: | CN105144398B | 公开(公告)日: | 2019-04-12 |
发明(设计)人: | 朱希 | 申请(专利权)人: | 太阳能公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 顾丽波;井杰 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 导电性 提升 | ||
1.一种用于在太阳能电池上形成接触区的方法,所述太阳能电池具有在正常操作期间面向太阳的正面和与所述正面相背对的背面,所述方法包括:
形成通过第一介质层并在所述太阳能电池的硅基板上方的至少一个接触开口,所述硅基板具有至少一个掺杂区;
在至少一个接触开口上方无电镀第一金属触点,使得所述第一金属触点通过所述接触开口与所述掺杂区形成点接触;
在所述第一金属触点上方形成铝糊剂;
固化所述铝糊剂以形成已固化的铝层;
将所述第一金属触点、已固化的铝层以及所述硅基板退火到高于550℃的温度;以及
在所述铝层上电镀第二金属层,其中所述第一金属触点以及铝层将所述第二金属层电耦接至至少一个掺杂区。
2.根据权利要求1所述的方法,其中形成至少一个接触开口包括执行选自湿法刻蚀和激光烧蚀的方法。
3.根据权利要求1所述的方法,其中无电镀所述第一金属触点包括无电镀选自镍、金、银、铑、铬、锌、锡和镉的金属。
4.根据权利要求1所述的方法,其中形成所述铝糊剂包括丝网印刷所述铝糊剂。
5.根据权利要求1所述的方法,其中所述形成铝糊剂包括沉积铝糊剂。
6.根据权利要求5所述的方法,其中沉积所述铝糊剂包括沉积具有至少0.5微米的厚度的铝糊剂。
7.根据权利要求1所述的方法,其中电镀所述第二金属层包括电镀选自铜、锡、铝、银、金、铬、铁、镍、锌、钌、钯和铂的金属。
8.一种用于在太阳能电池上形成接触区的方法,所述太阳能电池具有在正常操作期间面向太阳的正面和与所述正面相背对的背面,所述方法包括:
在所述太阳能电池的硅基板上方形成通过第一介质层的至少一个接触开口,所述硅基板具有至少一个掺杂区;
在至少一个接触开口上方无电镀至少一个镍触点,使得所述镍触点通过所述接触开口与所述掺杂区形成点接触;
在至少一个接触开口上方沉积铝糊剂;
固化所述铝糊剂以形成已固化的铝层;
将至少一个镍触点、已固化的铝层和所述硅基板退火至高于550℃的温度;以及
在所述铝层上电镀第二金属层,其中所述至少一个镍触点和铝层将所述第二金属层电耦接至至少一个掺杂区。
9.根据权利要求8所述的方法,其中形成通过所述第一介质层的至少一个接触开口包括执行选自湿法刻蚀和激光烧蚀的方法。
10.根据权利要求8所述的方法,其中形成所述铝糊剂包括丝网印刷所述铝糊剂。
11.根据权利要求8所述的方法,其中电镀所述第二金属层包括电镀选自铜、锡、铝、银、金、铬、铁、镍、锌、钌、钯和铂的金属。
12.根据权利要求8所述的方法,还包括在所述第二金属层上电镀第三金属层,其中所述至少一个镍触点、铝层以及第一金属层将所述第三金属层电耦接至至少一个掺杂区。
13.一种太阳能电池,具有在正常操作期间面向太阳的正面和与所述正面相背对的背面,所述太阳能电池包括:
通过第一介质层并在所述太阳能电池的硅基板上方的接触开口,所述硅基板具有位于所述背面的至少一个掺杂区;
在所述背面形成的接触区,其包括:
在所述至少一个接触开口上方形成的无电镀的镍触点,所述镍触点通过所述接触开口与所述掺杂区形成点接触;
在所述镍触点上方形成的第一金属层,其中所述第一金属层电连接至所述镍触点;以及
在所述第一金属层上形成的第二金属层,其中所述镍触点和第一金属层将所述第二金属层电耦接至至少一个掺杂区,
其中,所述太阳能电池还包括位于所述背面的沟槽区,其分离不同极性的接触区并且是纹理化的。
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