[发明专利]光传感器有效
申请号: | 201480010902.1 | 申请日: | 2014-01-21 |
公开(公告)号: | CN105074927B | 公开(公告)日: | 2018-04-27 |
发明(设计)人: | B·K·尼尔森;J·H·贝切特尔;D·G·麦克米兰;S·D·里斯 | 申请(专利权)人: | 金泰克斯公司 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;B60Q1/08;H04N5/335 |
代理公司: | 北京北翔知识产权代理有限公司11285 | 代理人: | 杨勇,郑建晖 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 传感器 | ||
1.一种光传感器,包括:
暴露光转换器,其操作以在积分周期上积累与入射到所述暴露光转换器上的光成比例的电荷;
屏蔽光的屏蔽光转换器,所述屏蔽光转换器具有与所述暴露光转换器相同的构造,所述屏蔽光转换器操作以在所述积分周期上积累与噪声成比例的电荷;以及
光-脉冲电路,所述光-脉冲电路与所述暴露光转换器和所述屏蔽光转换器通信,所述光-脉冲电路操作以输出脉冲,其中当由所述暴露光转换器积累的电荷超过由所述屏蔽光转换器积累的电荷时所述脉冲具有基于由所述暴露光转换器和屏蔽光转换器积累的电荷之间的差的脉冲宽度,其中,所述光-脉冲电路包括生成基于由所述暴露光转换器和屏蔽光转换器积累的电荷的脉冲的单触发逻辑电路,以使得当由所述暴露光转换器积累的电荷未超过由所述屏蔽光转换器积累的电荷时所述脉冲具有已知长度的脉冲宽度。
2.根据权利要求1所述的光传感器,还包括:
光存储电容器,所述光存储电容器耦连到所述暴露光转换器,以输出与所述暴露光转换器的积累电荷对应的光存储电容器电压;
噪声存储电容器,所述噪声存储电容器耦连到所述屏蔽光转换器,以输出与所述屏蔽光转换器的积累电荷对应的噪声存储电容器电压;
斜坡发生器,所述斜坡发生器用于生成斜坡电压;
第一比较器,所述第一比较器用于接收所述光存储电容器电压和所述斜坡电压,并用于在所述光存储电容器电压达到所述斜坡电压时,生成光水平输出;以及
第二比较器,所述第二比较器用于接收所述噪声存储电容器电压和所述斜坡电压,并用于在所述噪声存储电容器电压达到所述斜坡电压时生成噪声水平输出,
其中,所述单触发逻辑电路耦连以接收所述光水平输出和所述噪声水平输出,并且响应于所述光水平输出和所述噪声水平输出生成脉冲。
3.根据权利要求2所述的光传感器,其中,所述单触发逻辑电路被配置成在所述光存储电容器电压和所述噪声存储电容器电压之一或两者达到所述斜坡电压的任何时间,输出脉冲。
4.根据权利要求2所述的光传感器,其中,所述单触发逻辑电路被配置成在所述光存储电容器电压和所述噪声存储电容器电压一致地达到所述斜坡电压的任何时间,输出已知长度的脉冲。
5.根据权利要求1-2中任一项所述的光传感器,还包括:
耦连到光-脉冲电路的输入/输出垫,用于输出所述输出脉冲并用于接收代表所述积分周期的输入;和
在所述输入/输出垫上提供的连接于所述输入/输出垫和地之间用于阻止静电的电容器。
6.根据权利要求1-2中任一项所述的光传感器,还包括:
耦连到光-脉冲电路的输入/输出垫,用于输出所述输出脉冲并用于接收代表所述积分周期的输入;和
在所述输入/输出垫的输入侧提供的用于阻止电磁干扰的输入低通滤波器。
7.根据权利要求1-2中任一项所述的光传感器,还包括带隙参考电路,所述带隙参考电路用于从电源电压水平在3.3V到5.0V范围内的电源接收电,并用于向所述光-脉冲电路生成遍及所述电源电压水平范围的一组稳定的参考电压。
8.根据权利要求1-2中任一项所述的光传感器,还包括带隙电压参考电路,所述带隙电压参考电路用于从电源接收电,并用于向所述光-脉冲电路生成一组稳定的参考电压,其中,所述带隙电压参考电路从由所述电源供应的电源电压生成恒定电流,并且其中,所述带隙电压参考电路包括电阻阶梯,所述恒定电流通过所述电阻阶梯传送以生成所述一组稳定的参考电压。
9.根据权利要求1-2中任一项所述的光传感器,还包括:
外壳,所述外壳具有用于使入射到所述暴露光转换器上的光透过的窗口,所述暴露光转换器、所述屏蔽光转换器积累和所述光-脉冲电路被包括在所述外壳内;以及
非易失性存储器,所述非易失性存储器在外壳内,用于存储可以由此获得用于所述光传感器的校准数据的数据。
10.一种用于车辆的后视镜组件,包括:
后视镜装置,所述后视镜装置用于向车辆驾驶员提供后视镜视图;
根据权利要求1-9中任一项所述的光传感器;以及
安装机构,所述安装机构适于将所述后视镜装置和所述光传感器安装到车辆。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的