[发明专利]太阳能电池单元的制造方法有效
| 申请号： | 201480007666.8 | 申请日： | 2014-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN104981893B | 公开（公告）日： | 2018-01-30 |
| 发明（设计）人： | 荻野贵之;言水志信;加藤太司;田坂庄吾;青野亮太;奥凉介;鹿野康行;合田晋二;石川直挥 | 申请（专利权）人： | 松下生产工程技术株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/22 | 分类号： | H01L21/22;H01L51/48 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 卢曼,刘力 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 扩散 形成 方法 以及 太阳能电池 单元 制造 | ||
1.太阳能电池单元的制造方法，其是具有硼扩散工序的太阳能电池单元的制造方法，所述硼扩散工序包括：使硼在硅基板上热扩散的第1步骤、和使上述第1步骤中在硅基板上形成的硼化硅层氧化的第2步骤，
其中，上述第2步骤中，具有15分钟以上的处于900℃以上且上述第1步骤的处理温度以下的温度的状态，该第2步骤具有降温工序。
2.权利要求1所述的太阳能电池单元的制造方法，其中，在920℃以上且1050℃以下进行上述第1步骤。
3.权利要求1所述的太阳能电池单元的制造方法，其中，在氮与氧的流量比为99.5：0.5～95：5的氛围下进行上述第1步骤。
4.权利要求1所述的太阳能电池单元的制造方法，其中，将上述第1步骤进行5～120分钟。
5.权利要求1所述的太阳能电池单元的制造方法，其中，利用上述第1步骤和第2步骤所形成的硼硅玻璃层的膜厚为100～200nm。
6.权利要求1所述的太阳能电池单元的制造方法，其中，将三溴化硼(BBr3)或三氯化硼(BCl3)作为扩散源。
7.权利要求1所述的太阳能电池单元的制造方法，其中，通过用旋涂法将含硼化合物的材料涂布在硅基板上来形成硼扩散源。
8.权利要求1所述的太阳能电池单元的制造方法，其中，通过用丝网印刷法将含硼化合物的材料涂布在硅基板上来形成硼扩散源。
9.权利要求1所述的太阳能电池单元的制造方法，其中，通过用喷墨法将含硼化合物的材料涂布在硅基板上来形成硼扩散源。
10.权利要求1所述的太阳能电池单元的制造方法，其包括如下工序：
上述硼扩散工序结束后，在除去上述硅基板背面上形成的硼扩散层和硼硅玻璃层的工序中，
在上述硅基板表面形成了抗蚀膜后，利用化学湿法处理除去上述硅基板背面上形成的硼扩散层和硼硅玻璃层，然后除去上述硅基板表面的抗蚀膜。
11.权利要求10所述的太阳能电池单元的制造方法，其中，在除去上述抗蚀膜的工序结束后，依次进行在上述硅基板背面使磷扩散的磷扩散工序、在上述硅基板的两面形成减反射膜的工序、和在上述硅基板的两面形成Ag栅极的工序。
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