[发明专利]用于增强互连的抗断裂性的技术

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

第一电路层，所述第一电路层包括第一填充物线；以及

第二电路层，所述第二电路层相邻于所述第一电路层，所述第二电路层包括第二填充物线，其中，所述第二填充物线包括将所述第二填充物线锚定到所述第一填充物线的第一锚定结构；其中，所述第一填充物线和所述第二填充物线中的至少一个是电浮置的。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一填充物线和所述第二填充物线都是电浮置的，以使得它们与所述第一电路层和所述第二电路层的任何互连电隔离。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一锚定结构包括过孔，所述过孔从所述第二填充物线延伸并且在所述第二填充物线与所述第一填充物线相交叉的位置处着陆到所述第一填充物线上。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一锚定结构用于：物理锚定所述第一电路层和所述第二电路层和提高所述集成电路的抗断裂性中的至少一个。

5.根据权利要求1所述的集成电路，还包括位于所述第一锚定结构与所述第一填充物线之间的阻挡层。

6.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一电路层还包括第一互连线，所述第一互连线与所述第一填充物线电隔离。

7.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第二填充物线还包括第二锚定结构，所述第二锚定结构将所述第二填充物线锚定到所述第一电路层的第一互连线。

8.根据权利要求7所述的集成电路，其中，所述第二锚定结构包括过孔，所述过孔从所述第二填充物线延伸并且在所述第二填充物线与所述第一互连线相交叉的位置处着陆到所述第一互连线上。

9.根据权利要求1所述的集成电路，还包括未着陆过孔和悬置过孔中的至少一个。

10.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一电路层和所述第二电路层中的每一个还包括其中形成了所述第一填充物线和所述第二填充物线的电介质材料。

11.根据权利要求10所述的集成电路，其中，所述电介质材料包括低κ电介质材料，所述低κ电介质材料具有小于二氧化硅的介电常数的介电常数。

12.根据权利要求1所述的集成电路，还包括穿硅过孔。

13.根据权利要求1所述的集成电路，还包括两个或更多个管芯键合在一起的三维配置。

14.根据权利要求1-13中的任一项所述的集成电路，还包括在公共封装内的两个或更多个管芯的多芯片配置。

15.一种引线键合封装，包括根据权利要求1-13中的任一项所述的集成电路。

16.一种倒装芯片封装，包括根据权利要求1-13中的任一项所述的集成电路。

17.一种移动计算设备，包括根据权利要求1-13中的任一项所述的集成电路。

18.一种集成电路，包括：

电介质层；

第一电路层，所述第一电路层形成在所述电介质层内，所述第一电路层包括多个第一填充物线，所述多个第一填充物线包括第一填充物线；以及

第二电路层，所述第二电路层形成在所述电介质层内并且相邻于所述第一电路层，所述第二电路层包括多个第二填充物线，所述多个第二填充物线包括第二填充物线；

其中，所述第二填充物线包括过孔，所述过孔从其延伸并且在所述第二填充物线与所述第一填充物线相交叉的位置处着陆到所述第一填充物线上；并且

所述第一填充物线和所述第二填充物线中的至少一个是电浮置的。

19.根据权利要求18所述的集成电路，还包括多个额外电介质层，每一个额外电介质层中具有第一电路层和第二电路层。

20.根据权利要求18所述的集成电路，其中，所述集成电路包括在硅管芯中，并且其中，所述电介质层包括低κ电介质材料，所述低κ电介质材料具有小于二氧化硅的介电常数的介电常数。

21.根据权利要求18所述的集成电路，其中，所述电介质层包括氧化物、氮化物、聚合物、磷硅玻璃、有机硅玻璃、和上述各项中的任何项的组合中的至少一个。