[发明专利]具有表面官能化金属纳米线的透明导电电极、它们的结构设计及制造方法有效
| 申请号: | 201480001119.9 | 申请日: | 2014-04-03 |
| 公开(公告)号: | CN104285260B | 公开(公告)日: | 2019-03-08 |
| 发明(设计)人: | 潘克菲 | 申请(专利权)人: | 苏州诺菲纳米科技有限公司 |
| 主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;H01L31/0224;H01L29/43 |
| 代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 杨林洁 |
| 地址: | 215028 江苏省苏州市工*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 表面 官能 金属 纳米 透明 导电 电极 它们 结构设计 制造 方法 | ||
1.一种图案化导电电极的方法,其包括如下步骤:
提供一个基板;
形成一个薄膜,所述薄膜包括金属纳米线,其中至少一些金属纳米线被表面官能化且抗氧化或抗酸反应,另一部分金属纳米线为非表面官能化的金属纳米线;
蒸发去除金属纳米线薄膜中的溶剂;
将所述纳米线薄膜暴露于化学试剂,化学试剂为氧化剂或酸性试剂;具有表面官能化的金属纳米线的薄膜与化学试剂不反应成为第一区域,具有非表面官能化的金属纳米线的薄膜与化学试剂反应成为第二区域;
以及
对包含所述第一区域和所述第二区域的薄膜进行热处理;
其中进行热处理后的所述第一区域与所述第二区域之间的电阻率差超过1000。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述第一区域和第二区域之间的折射率差小于0.05。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述第一区域和第二区域之间的雾度差小于0.2%。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于:包括提供金属纳米线,所述金属纳米线的一部分被表面官能化,另一部分未被表面官能化,其中表面官能化用以防止所述纳米线被氧化或酸反应。
5.如权利要求4所述的方法,其特征在于:包括提供纳米线的混合物,所述纳米线包括完全表面官能化的纳米线以及未表面官能化的纳米线。
6.如权利要求4所述的方法,其特征在于:包括提供纳米线的统计混合,其中所述纳米线包括表面官能化的纳米线。
7.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述金属是银。
8.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述第二区域包括氧化银。
9.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述第二区域包括银盐。
10.一种图案化导电电极的方法,其包括如下步骤:
提供一个基板;
形成一个薄膜,所述薄膜包括表面官能化的银纳米线,其中所述纳米线的某些部分是被表面官能化的且抗氧化或抗酸蚀另部分是非表面官能化的;
将所述薄膜暴露于酸性蚀刻剂或氧化剂,并使非表面官能化的纳米线与氧化剂/酸性蚀刻剂进行反应;
将未受保护的非表面官能化的纳米线分解成若干片段,使得具有非表面官能化的纳米线的薄膜形成第二区域;而具有表面官能化的纳米线的薄膜构成第一区域;
其中纳米线上的表面官能化部分和非表面官能化的部分可以有规律或者随机的分布。
11.如权利要求10所述的方法,其特征在于:随机分布的非表面功能化的区域,在纳米线上具有未完全覆盖该非表面功能化的区域的表面官能化物质。
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